[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110294664.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113517281A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃禹軒;黃家恩;蔡慶威;程冠倫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

電源軌；

第一源極/漏極部件，設(shè)置在所述電源軌上方；

通孔，將所述電源軌連接到所述第一源極/漏極部件；

隔離部件，設(shè)置在所述第一源極/漏極部件上方；以及

第二源極/漏極部件，設(shè)置在所述隔離部件上方，其中所述第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件具有相反的導(dǎo)電類(lèi)型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第一源極/漏極部件是p型，并且所述第二源極/漏極部件是n型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第三源極/漏極部件，設(shè)置在所述電源軌上方；

第四源極/漏極部件，設(shè)置在所述第三源極/漏極部件上方；

第一溝道層，連接所述第一源極/漏極部件和第三源極/漏極部件；

第二溝道層，位于所述第一溝道層上方并連接所述第二源極/漏極部件和第四源極/漏極部件；以及

柵極結(jié)構(gòu)，接合所述第一溝道層和第二溝道層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第二隔離部件，設(shè)置在所述第三源極/漏極部件和所述第四源極/漏極部件之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第三源極/漏極部件直接接觸所述第四源極/漏極部件。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第二電源軌，設(shè)置在所述第四源極/漏極部件上方；以及

第二通孔，將所述第二電源軌連接到所述第四源極/漏極部件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第二通孔，設(shè)置在所述第二源極/漏極部件上方并連接到所述第二源極/漏極部件。

8.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供一種結(jié)構(gòu)，具有襯底、具有交替地堆疊在所述襯底上方的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的堆疊件的鰭、位于所述鰭上方的犧牲柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的柵極間隔件；

蝕刻與所述柵極間隔件相鄰的鰭，以形成第一源極/漏極溝槽和第二源極/漏極溝槽；

橫向凹進(jìn)暴露在所述第一源極/漏極溝槽和第二源極/漏極溝槽中的第二半導(dǎo)體層以形成間隙；

在所述間隙中形成內(nèi)部間隔件；

在所述第一源極/漏極溝槽和第二源極/漏極溝槽中分別外延生長(zhǎng)第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件；

部分地去除所述第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件；

在所述部分地去除之后，形成覆蓋所述第二源極/漏極部件并暴露所述第一源極/漏極部件的硬掩模；

在所述硬掩模就位的情況下，在所述第一源極/漏極部件上方沉積隔離材料；

去除所述硬掩模；以及

在所述隔離材料上方外延生長(zhǎng)第三源極/漏極部件，并在所述第二源極/漏極部件上方外延生長(zhǎng)第四源極/漏極部件，其中所述第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，所述第三源極/漏極部件和第四源極類(lèi)型源極/漏極部件具有與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，在所述外延生長(zhǎng)所述第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件之前，還包括：

對(duì)所述第一源極/漏極溝槽執(zhí)行額外的蝕刻；以及

在所述額外的蝕刻所述執(zhí)行之后，將偽材料沉積到第一源極/漏極溝槽中，其中，所述第一源極/漏極部件生長(zhǎng)在所述偽材料上方。

10.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供一種結(jié)構(gòu)，具有襯底以及位于所述襯底上方的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第三區(qū)域具有在所述襯底上方交替堆疊的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的堆疊件；

在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的每個(gè)中蝕刻源極/漏極溝槽，其中在所述第三區(qū)域中的源極/漏極溝槽被蝕刻到所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的堆疊件中；

形成覆蓋所述第一區(qū)域并暴露所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的第一硬掩模；

在所述第一硬掩模就位的情況下，在所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的所述源極/漏極溝槽中外延生長(zhǎng)第一類(lèi)型的源極/漏極部件；

形成覆蓋所述第二區(qū)域并暴露所述第三區(qū)域的第二硬掩模；

在所述第一硬掩模和所述第二硬掩模就位的情況下，在所述第三區(qū)域中部分地凹進(jìn)所述源極/漏極部件；

在所述部分地凹陷之后，形成暴露所述第三區(qū)域中的所述源極/漏極部件的第一個(gè)并且覆蓋所述第三區(qū)域中的所述源極/漏極部件的第二個(gè)的第三硬掩模；以及

在所述第一硬掩模、所述第二硬掩模和所述第三硬掩模就位的情況下，在所述第三區(qū)域中的所述源極/漏極部件的所述第一個(gè)上沉積隔離材料。