[發(fā)明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

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• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113451512A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柴田寬
• 申請（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;金雪梅

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體基板；

溝道，從上述半導體基板的一個面朝向內(nèi)部延長，在側(cè)壁表面具有凹凸結(jié)構(gòu)；

半導體膜，形成為覆蓋上述溝道的側(cè)壁表面且從上述側(cè)壁表面連續(xù)地沿上述半導體基板的上述一個面延伸；

對置電極，具有第一部分和第二部分，其中，上述第一部分設(shè)置于隔著上述半導體膜與上述半導體基板對置的位置，上述第一部分沿上述半導體基板的上述一個面延伸，上述第二部分從上述第一部分連續(xù)地延伸以填充上述溝道；以及

絕緣膜，使上述半導體膜與上述對置電極絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體膜為無摻雜的多晶硅膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體膜為摻雜有雜質(zhì)的多晶硅膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體膜包含粗糙表面多晶硅，上述粗糙表面多晶硅在表面具有半球狀粒子結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述凹凸結(jié)構(gòu)包含尖頭形的凸部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

通過博世蝕刻形成上述溝道，

上述凹凸結(jié)構(gòu)是在上述博世蝕刻的過程中形成的鱗片狀的凹凸結(jié)構(gòu)。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

通過博世蝕刻形成溝道的步驟，其中，上述溝道從半導體基板的一個面朝向內(nèi)部延長；

形成半導體膜的步驟，上述半導體膜形成為覆蓋上述溝道的側(cè)壁表面且從上述側(cè)壁表面連續(xù)地沿上述半導體基板的上述一個面延伸；

在上述半導體膜的表面形成絕緣膜的步驟；以及

在上述絕緣膜上形成對置電極的步驟，其中，上述對置電極具有第一部分和第二部分，上述第一部分沿上述半導體基板的上述一個面延伸，上述第二部分從上述第一部分連續(xù)地延伸以填充上述溝道。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還包含在形成上述絕緣膜的步驟后執(zhí)行熱退火處理的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

形成上述半導體膜的步驟包含：

第一步驟，形成摻雜有雜質(zhì)的第一多晶硅膜；以及

第二步驟，在上述第一多晶硅膜的表面形成無摻雜的第二多晶硅膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

形成上述半導體膜的步驟包含：

第一步驟，形成摻雜有雜質(zhì)的第一多晶硅膜；

第二步驟，在上述第一多晶硅膜的表面形成無摻雜的第二多晶硅膜；以及

第三步驟，在上述第二多晶硅膜的表面形成粗糙表面多晶硅膜。