[發(fā)明專利]陣列基板及顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110292868.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113113425A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬濤;艾飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
本發(fā)明提供了一種陣列基板及顯示面板,陣列基板的薄膜晶體管組件包括相對(duì)設(shè)置的第一有源層和第二有源層;設(shè)置在第一有源層和第二有源層之間的第一柵極;與第一有源層和第二有源層電性連接的源極;以及與第一有源層和第二有源層電性連接的漏極;其中,第一有源層和第二有源層中至少一個(gè)為復(fù)合有源層,復(fù)合有源層包括由下至上層疊設(shè)置的第一子層和第二子層,第一子層為低溫多晶硅層,第二子層為氫化非晶硅層,并且源極和漏極分別與第一子層電性連接,由此改善了薄膜晶體管組件的開(kāi)態(tài)電流和關(guān)態(tài)電流,增強(qiáng)了陣列基板的驅(qū)動(dòng)能力,從而提升了顯示面板的顯示效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的迅速發(fā)展,顯示面板的尺寸在不斷的增大,驅(qū)動(dòng)電路的頻率也在不斷的增大,因此,對(duì)于薄膜晶體管的工作性能要求越來(lái)越高。
目前,大多數(shù)薄膜晶體管都采用非晶硅或多晶硅材料的有源層,這種采用傳統(tǒng)方法和材料制備形成的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)只能得到優(yōu)異的開(kāi)態(tài)電流或優(yōu)異的關(guān)態(tài)電流,兩者無(wú)法兼得,使得晶體管的應(yīng)用受到很大的限制。
因此,亟需解決目前的晶體管的開(kāi)態(tài)電流和關(guān)態(tài)電流無(wú)法兼顧的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板,包括:
襯底基板;
設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管組件,所述薄膜晶體管組件包括:
相對(duì)設(shè)置的第一有源層和第二有源層;
設(shè)置在所述第一有源層和所述第二有源層之間的第一柵極;
與所述第一有源層和所述第二有源層電性連接的源極;
以及與所述第一有源層和所述第二有源層電性連接的漏極;
其中,所述第一有源層和所述第二有源層中至少一個(gè)為復(fù)合有源層,所述復(fù)合有源層包括由下至上層疊設(shè)置的第一子層和第二子層,所述第一子層為低溫多晶硅層,所述第二子層為氫化非晶硅層,并且所述源極和所述漏極分別與所述第一子層電性連接。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述第一有源層為所述復(fù)合有源層,所述第二有源層為氧化物半導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述陣列基板包括第二柵極,所述第一柵極與所述第二柵極一起控制所述薄膜晶體管組件。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述第一柵極位于所述第一有源層下方,所述第二柵極位于所述第一有源層上方。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述第一柵極位于所述第一有源層下方,所述第二柵極位于所述第二有源層下方。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一有源層在所述襯底基板上的正投影。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述第一有源層上背離所述襯底基板一側(cè)設(shè)置有一刻蝕阻擋層。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述源極和所述漏極由同一導(dǎo)電膜層經(jīng)圖案化制得。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板,所述源極包括與所述第一有源層電性連接的第一源極以及與所述第二有源層電性連接的第二源極,所述漏極包括與所述第一有源層電性連接的第一漏極以及與所述第二有源層電性連接的第二漏極;所述第二源極通過(guò)第一過(guò)孔與所述第一源極連接,所述第二漏極通過(guò)第二過(guò)孔與所述第一漏極連接。
另一方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括如前所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





