[發明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 202110292868.3
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113113425A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 馬濤;艾飛
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管組件，所述薄膜晶體管組件包括：

相對設置的第一有源層和第二有源層；

設置在所述第一有源層和所述第二有源層之間的第一柵極；

與所述第一有源層和所述第二有源層電性連接的源極；

以及與所述第一有源層和所述第二有源層電性連接的漏極；

其中，所述第一有源層和所述第二有源層中至少一個為復合有源層，所述復合有源層包括由下至上層疊設置的第一子層和第二子層，所述第一子層為低溫多晶硅層，所述第二子層為氫化非晶硅層，并且所述源極和所述漏極分別與所述第一子層電性連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層為所述復合有源層，所述第二有源層為氧化物半導體層。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括第二柵極，所述第一柵極與所述第二柵極一起控制所述薄膜晶體管組件。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極位于所述第一有源層上方，所述第二柵極位于所述第二有源層上方。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極位于所述第一有源層上方，所述第二柵極位于所述第一有源層下方。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一有源層在所述襯底基板上的正投影。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層上背離所述襯底基板一側設置有一刻蝕阻擋層。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極由同一導電膜層經圖案化制得。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極包括與所述第一有源層電性連接的第一源極以及與所述第二有源層電性連接的第二源極，所述漏極包括與所述第一有源層電性連接的第一漏極以及與所述第二有源層電性連接的第二漏極；所述第二源極通過第一過孔與所述第一源極連接，所述第二漏極通過第二過孔與所述第一漏極連接。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的陣列基板。