[發明專利]涂覆有UV膠的元器件的回收方法在審
| 申請號: | 202110291561.1 | 申請日: | 2021-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN113050391A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 張玉良;趙東峰;李瑩;韓興君;蔡璐;饒軼 | 申請(專利權)人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42;B05D7/24 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 袁文婷;張娓娓 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 涂覆有 uv 元器件 回收 方法 | ||
本發明提供一種涂覆有UV膠的元器件的回收方法,利用弱堿性溶劑浸泡待回收的涂覆有UV膠的元器件;其中的元器件的表面包覆有由底層包裹材料形成的納米級薄層,UV膠固化在所述納米級薄層外;所述弱堿性溶劑用于溶解所述底層包裹材料;然后通過超聲清洗去除所述UV膠,以回收所述元器件。利用本發明,能夠在不損傷元器件的基礎上簡單高效的去除元器件表面的UV膠層,提高元器件的利用率。
技術領域
本發明涉及微電子生產過程中的UV膠應用技術領域,更為具體地,涉及一種涂覆有UV膠的元器件的回收方法。
背景技術
在微納加工中需要使用UV膠實現晶圓及其他元器件的粘接固定,但由于晶圓在微納加工產品中占據較高的成本,且微納加工過程中總是存在大量的壓印不良的問題而導致產品的報廢,因此,有效去除報廢晶圓上的UV膠材以使晶圓再利用是行業中一直探討的問題。
現有技術中并無專門的針對微納加工中UV紫外膠的去除方法,不過參考業內光刻膠的去除方法主要為以下幾種:
1、等離子刻蝕,將涂覆在表面的膠材與等離子體發生反應,緩慢腐蝕掉,此種方法刻蝕效率較低。
2、高溫灰化,通過加熱升高到較高溫度,使表面的有機分子斷鏈,形成小分子揮發掉,最后剩余灰分用溶液清洗掉。該方法要求的實現工藝條件較為復雜,首先需要600-800℃的高溫強處理條件加熱4-6小時,另外需再配備一臺清洗裝置進行輔助清洗,整個流程處理時間長,僅用于實驗小批量驗證,不適合生產。
3、強堿或強氧化性溶劑處理,目前市面上常用此種方法,通過配置一定濃度KOH溶液或者通過配置一定比例的濃硫酸與雙氧水,對晶圓表面上的高分子進行腐蝕斷鏈,裂解成小分子進行溶解去除。此種方法相較前述高溫灰化發簡單,但仍是一種強處理條件,很多處理溶劑為強腐蝕或高毒性溶劑對人體損害較大。
發明內容
鑒于上述問題,本發明的目的是提供一種涂覆有UV膠的元器件的回收方法,以有效去除報廢晶圓以及其他涂覆有UV膠的元器件上的UV膠材,以使晶圓/元器件得到再利用。
作為本發明的一個方面,提供一種涂覆有UV膠的元器件的回收方法,包括:利用弱堿性溶劑浸泡待回收的涂覆有UV膠的元器件;其中,在所述元器件的表面包覆有由底層包裹材料形成的納米級薄層,所述UV膠固化在所述納米級薄層外;所述弱堿性溶劑用于溶解所述底層包裹材料;通過表層清洗去除所述UV膠,回收所述元器件。
另一方面,本發明還提供一種UV膠的涂覆方法,包括:
將底層包裹材料涂覆到元器件表面;
將涂覆有底層包裹材料的元器件烘烤后,在紫外燈下曝光,使涂覆在所述元器件表面的底層包裹材料形成納米級薄層;
在所述納米級薄層外旋涂UV膠。
在一方面,本發明提供一種UV膠的去除方法,用于去除利用前述的UV膠的涂覆方法涂覆的UV膠的元器件上的UV膠,包括:
將涂覆UV膠的元器件放置在含有5-13%濃度的磷酸鈉、2-7%的油酸鈉、5-10%的碳酸鈉以及70-82%的水溶液中浸泡;
將浸泡過后的元器件放置在超聲波清洗槽中進行超聲波清洗;
將清洗過后的元器件進行烘烤處理。
從上面的技術方案可知,本發明提供的涂覆有UV膠的元器件的回收方法、UV膠的涂覆方法以及UV膠的去除方法,通過提前在元器件表面增加可快速溶解的底層包裹材料,然后再涂覆UV膠,從而在去除UV膠時,能夠通過針對行的溶劑快速溶解底層的包裹材料,使“頂層”產品UV膠“整面去除”,元器件按表面幾乎無殘留,不會在重復利用時旋涂產生影響;另外選用的弱堿性溶劑對元器件表面幾乎沒有損傷,提高了元器件的利用率。
附圖說明
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