[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202110291207.9 | 申請日： | 2021-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN113437139A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 平田大介;山本晃央 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其具有與導線之間的鍵合區域，
該半導體裝置的特征在于，具有：
半導體基板；
氧化膜，其在所述鍵合區域設置于所述半導體基板的主面；
多晶硅層，其設置于所述氧化膜之上；
層間膜，其在所述多晶硅層之上局部地設置；
阻擋金屬，其直接設置于所述多晶硅層和所述層間膜之上；以及
電極，其設置于所述阻擋金屬之上。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
還具有晶體管，該晶體管設置于所述半導體基板，具有柵極電極，
所述多晶硅層和所述柵極電極由相同材質構成。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述電極的表面與所述層間膜的圖案匹配地成為凹凸形狀。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述層間膜具有在與所述主面垂直的俯視觀察時呈點狀的圖案。
5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述層間膜具有在與所述主面垂直的俯視觀察時呈網格狀的圖案。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述半導體基板由寬帶隙半導體形成。
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