[發(fā)明專利]三維存儲(chǔ)器及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110291000.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-18
• 公開（公告）號(hào): CN112885840B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏丙杰;謝景濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/11568
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種三維存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供第一襯底，所述第一襯底上具有第一堆疊體；

形成貫穿所述第一堆疊體并間隔設(shè)置的多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述第一堆疊體遠(yuǎn)離所述第一襯底的一側(cè)形成第二堆疊體，在所述第二堆疊體的臺(tái)階區(qū)中形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；

在所述第二堆疊體中形成溝道陣列以及偽溝道陣列，所述偽溝道陣列至少存在于所述臺(tái)階區(qū)，所述偽溝道陣列中與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的偽溝道結(jié)構(gòu)位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上，

所述第一堆疊體包括沿遠(yuǎn)離所述第一襯底的方向順序交替層疊的至少一層第一犧牲層和多層第一半導(dǎo)體層，

所述第二堆疊體包括沿遠(yuǎn)離所述第一襯底的方向順序交替層疊的至少一層第二犧牲層和多層第一隔離層，在形成所述溝道陣列以及所述偽溝道陣列的步驟之后，所述制作方法還包括以下步驟：

將所述第一犧牲層置換為第二半導(dǎo)體層，并將所述第二犧牲層置換為控制柵結(jié)構(gòu)，以形成沿遠(yuǎn)離所述第一襯底的方向順序?qū)盈B的半導(dǎo)體層和柵極堆疊結(jié)構(gòu)，在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中形成貫穿至所述半導(dǎo)體層的共源極，所述共源極貫穿至所述半導(dǎo)體層的端部位于相鄰所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二堆疊體中的絕緣層對(duì)所述第二犧牲層和所述第一隔離層的刻蝕選擇比均大于1:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述溝道結(jié)構(gòu)插入至少一個(gè)所述第一半導(dǎo)體層中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述共源極的步驟之后，得到具有存儲(chǔ)器陣列的所述第一襯底，所述制作方法還包括以下步驟：

提供具有外圍電路的第二襯底，將所述存儲(chǔ)器陣列與所述外圍電路鍵合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在提供第一襯底的步驟中，所述第一襯底上還具有位于所述第一襯底與所述第一堆疊體之間的第三堆疊體，所述第三堆疊體包括沿遠(yuǎn)離所述第一襯底的方向順序交替層疊的至少一層第三犧牲層和多層第二隔離層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，在將所述存儲(chǔ)器陣列與所述外圍電路鍵合的步驟之后，所述制作方法還包括以下步驟：

將所述第三犧牲層與靠近所述半導(dǎo)體層一側(cè)的所述第二隔離層剝離，以將所述第一襯底去除。