[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110286922.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114284220A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪金華;葉書(shū)伸;林昱圣;林柏堯;鄭心圃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本文中提供的半導(dǎo)體封裝包括布線襯底、半導(dǎo)體組件、導(dǎo)體端子、底部加強(qiáng)件以及頂部加強(qiáng)件。布線襯底具有第一表面及與第一表面相對(duì)的第二表面。半導(dǎo)體組件設(shè)置在布線襯底的第一表面上。導(dǎo)體端子設(shè)置在布線襯底的第二表面上且通過(guò)布線襯底電連接到半導(dǎo)體組件。底部加強(qiáng)件設(shè)置在布線襯底的第二表面上且定位在導(dǎo)體端子之間。頂部加強(qiáng)件設(shè)置在布線襯底的第一表面上。頂部加強(qiáng)件與底部加強(qiáng)件相比在側(cè)向上與半導(dǎo)體組件間隔得更遠(yuǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續(xù)提高，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷快速增長(zhǎng)。在很大程度上，集成密度的此種提高是源自最小特征大小(minimum feature size)的反復(fù)減小，此使更多的組件能夠集成到給定面積中。隨著近來(lái)對(duì)小型化、較高的速度及較大的帶寬以及較低的功率消耗及等待時(shí)間的需求的增長(zhǎng)，對(duì)具有期望的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的半導(dǎo)體管芯的可靠封裝技術(shù)的需求已增長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括布線襯底、半導(dǎo)體組件、導(dǎo)體端子、底部加強(qiáng)件以及頂部加強(qiáng)件。所述布線襯底具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述半導(dǎo)體組件設(shè)置在所述布線襯底的所述第一表面上。所述導(dǎo)體端子設(shè)置在所述布線襯底的所述第二表面上且通過(guò)所述布線襯底電連接到所述半導(dǎo)體組件。所述底部加強(qiáng)件設(shè)置在所述布線襯底的所述第二表面上且定位在所述導(dǎo)體端子之間。所述頂部加強(qiáng)件設(shè)置在所述布線襯底的所述第一表面上。所述頂部加強(qiáng)件與所述底部加強(qiáng)件相比在側(cè)向上與所述半導(dǎo)體組件間隔得更遠(yuǎn)。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件與所述半導(dǎo)體組件局部地交疊。在一些實(shí)施例中，所述頂部加強(qiáng)件保持與所述半導(dǎo)體組件相距一間隙，且所述底部加強(qiáng)件被定位成與所述間隙交疊。在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體組件包括彼此之間具有管芯間隙的半導(dǎo)體管芯，且所述管芯間隙的虛擬延伸線與所述底部加強(qiáng)件的伸長(zhǎng)部交叉。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件的材料與所述頂部加強(qiáng)件的材料不同。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件的遠(yuǎn)離所述布線襯底的遠(yuǎn)端表面水平地位于所述布線襯底與所述導(dǎo)體端子中的一個(gè)導(dǎo)體端子的遠(yuǎn)離所述布線襯底的遠(yuǎn)端表面之間。在一些實(shí)施例中，所述頂部加強(qiáng)件的頂表面水平地位于所述布線襯底與所述半導(dǎo)體組件的遠(yuǎn)離所述布線襯底的頂表面之間。

根據(jù)本公開(kāi)的一些其他實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括布線襯底、半導(dǎo)體組件、底部加強(qiáng)件以及頂部加強(qiáng)件。所述布線襯底具有中心區(qū)、第一外圍區(qū)及第二外圍區(qū)，其中所述第一外圍區(qū)環(huán)繞所述中心區(qū)且所述第二外圍區(qū)環(huán)繞所述第一外圍區(qū)。所述半導(dǎo)體組件在所述中心區(qū)處設(shè)置在所述布線襯底上。所述底部加強(qiáng)件在所述半導(dǎo)體組件與所述第一外圍區(qū)和所述第二外圍區(qū)之間的邊界之間設(shè)置在所述布線襯底上。所述頂部加強(qiáng)件從所述第一外圍區(qū)與所述第二外圍區(qū)之間的所述邊界遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體組件設(shè)置在所述布線襯底上。在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體組件及所述頂部加強(qiáng)件設(shè)置在所述布線襯底的第一表面處，且所述底部加強(qiáng)件設(shè)置在所述布線襯底的相對(duì)的第二表面處。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件粘著到所述布線襯底上。在一些實(shí)施例中，熱沉進(jìn)一步貼合到所述半導(dǎo)體組件上。在一些實(shí)施例中，所述熱沉具有貼合到所述半導(dǎo)體組件的平坦的耦合表面。在一些實(shí)施例中，所述熱沉通過(guò)熱界面材料貼合到所述半導(dǎo)體組件。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體端子在所述底部加強(qiáng)件旁邊進(jìn)一步設(shè)置在所述布線襯底上，其中所述底部加強(qiáng)件的遠(yuǎn)離所述布線襯底的遠(yuǎn)端表面水平地位于所述布線襯底與所述導(dǎo)體端子中的一個(gè)導(dǎo)體端子的遠(yuǎn)離所述布線襯底的遠(yuǎn)端表面之間。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件的寬度小于所述頂部加強(qiáng)件的寬度。在一些實(shí)施例中，所述底部加強(qiáng)件的熱膨脹系數(shù)低于所述布線襯底的有效熱膨脹系數(shù)。