[發(fā)明專利]一種晶體管及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110286665.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113066725B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹智穎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

本發(fā)明提供了一種晶體管及其制作方法，該制作方法包括：提供一隔絕層；在隔絕層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層背離隔絕層的一側(cè)形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述半導(dǎo)體層的隔絕區(qū)域；對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成源極和漏極，所述隔絕區(qū)域位于所述源極和所述漏極之間；在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述源極的部分區(qū)域，以及所述漏極的部分區(qū)域；進(jìn)行刻蝕處理以刻蝕掉未被所述掩膜層覆蓋的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。通過(guò)對(duì)源極和漏極區(qū)域進(jìn)行刻蝕處理，在縮小源極和漏極尺寸的情況下，實(shí)現(xiàn)了一種更小尺寸更高集成度的晶體管架構(gòu)。與曝光技術(shù)的制作方法相比較而言，在工藝簡(jiǎn)單的前提下，還可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸的源極和漏極。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種晶體管及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，依據(jù)摩爾定律而言，集成電路上可以容納的晶體管的數(shù)量在持續(xù)增加，也就要求晶體管的尺寸需要不斷微縮，進(jìn)而使晶體管的制程困難度也不斷提升。

那么，如何制作出集成度更高的晶體管，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶體管及其制作方法，技術(shù)方案如下：

一種晶體管的制作方法，所述制作方法包括：

提供一隔絕層；

在所述隔絕層的一側(cè)形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層背離所述隔絕層的一側(cè)形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述半導(dǎo)體層的隔絕區(qū)域；

對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成源極和漏極，所述隔絕區(qū)域位于所述源極和所述漏極之間；

在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述源極的部分區(qū)域，以及所述漏極的部分區(qū)域；

進(jìn)行刻蝕處理，以刻蝕掉未被所述掩膜層覆蓋的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

可選的，在上述制作方法中，在所述隔絕層上形成半導(dǎo)體層之前，所述制作方法還包括：

在所述隔絕層上形成柵極，所述柵極貫穿所述源極、所述隔絕區(qū)域以及所述漏極。

可選的，在上述制作方法中，所述柵極包括多個(gè)獨(dú)立的柵極單元；

多個(gè)獨(dú)立的所述柵極單元等間隔排布。

可選的，在上述制作方法中，所述柵極單元的形狀為條狀；

其中，所述條狀的延伸方向貫穿所述源極、所述隔絕區(qū)域以及所述漏極。

可選的，在上述制作方法中，所述對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成源極和漏極，包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行P型摻雜處理形成源極和漏極。

可選的，在上述制作方法中，所述對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成源極和漏極，包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行N型摻雜處理形成源極和漏極。

可選的，在上述制作方法中，所述在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層，包括：

采用Mandrel技術(shù)在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層。

一種晶體管，所述晶體管包括：

隔絕層；

均設(shè)置在所述隔絕層一側(cè)的源極和漏極；

設(shè)置在所述源極和所述漏極之間的隔絕區(qū)域。

可選的，在上述晶體管中，所述晶體管還包括：