[發明專利]一種晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 202110286665.3
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113066725B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 詹智穎
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一隔絕層；

在所述隔絕層的一側形成半導體層；

在所述半導體層背離所述隔絕層的一側形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述半導體層的隔絕區域；

對所述半導體層的其它區域進行摻雜處理形成源極和漏極，所述隔絕區域位于所述源極和所述漏極之間；

在所述阻擋層的側壁形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述源極的部分區域，以及所述漏極的部分區域；

進行刻蝕處理，以刻蝕掉未被所述掩膜層覆蓋的源極區域和漏極區域；

在所述隔絕層上形成半導體層之前，所述制作方法還包括：

在所述隔絕層上形成柵極，所述柵極貫穿所述源極、所述隔絕區域以及所述漏極。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵極包括多個獨立的柵極單元；

多個獨立的所述柵極單元等間隔排布。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述柵極單元的形狀為條狀；

其中，所述條狀的延伸方向貫穿所述源極、所述隔絕區域以及所述漏極。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述對所述半導體層的其它區域進行摻雜處理形成源極和漏極，包括：

對所述半導體層的其它區域進行P型摻雜處理形成源極和漏極。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述對所述半導體層的其它區域進行摻雜處理形成源極和漏極，包括：

對所述半導體層的其它區域進行N型摻雜處理形成源極和漏極。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阻擋層的側壁形成掩膜層，包括：

采用Mandrel技術在所述阻擋層的側壁形成掩膜層。

7.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：

隔絕層；

均設置在所述隔絕層一側的源極和漏極；

設置在所述源極和所述漏極之間的隔絕區域；

所述晶體管還包括：

設置在所述隔絕層上的柵極，所述柵極貫穿所述源極、所述隔絕區域以及所述漏極。

8.根據權利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述柵極包括多個獨立的柵極單元；

多個獨立的所述柵極單元等間隔排布；

所述柵極單元的形狀為條狀；

其中，所述條狀的延伸方向貫穿所述源極、所述隔絕區域以及所述漏極。