[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110285004.9
• 申請(qǐng)日: 2021-03-17
• 公開（公告）號(hào): CN113097223A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐甲;張曉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本申請(qǐng)公開了一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法。陣列基板包括依次設(shè)置的襯底基板、薄膜晶體管層和平坦層；其中，薄膜晶體管層包括沿遠(yuǎn)離襯底基板依次設(shè)置的多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括沿遠(yuǎn)離襯底基板依次設(shè)置的導(dǎo)電層和絕緣層，絕緣層包括與導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域，以及與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，至少一層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度。本申請(qǐng)實(shí)施例通過使導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層中絕緣層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度，可以在陣列基板制程中對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行多重分段平坦化，逐次消除導(dǎo)電層堆疊造成的段差，從而改善陣列基板像素基底的平坦度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)

隨著高世代線顯示面板尺寸的增加，對(duì)其掃描及解析度的要求也會(huì)增加，在其制作過程中需采用阻抗較小的厚銅制程，且遮光金屬層也需要走訊號(hào)，造成像素基底平坦度段差急劇增加。采用噴墨打印(IJP)工藝的顯示面板的油墨打印到像素區(qū)時(shí)，由于像素基底表面段差較大，使得烘干后膜厚不均，從而影響顯示面板發(fā)光效果和使用壽命。

目前，為提高像素基底平坦度，常采用增大平坦化層厚度的方法，而平坦化層厚度過厚會(huì)導(dǎo)致開孔過深，影響后續(xù)膜層的制作。對(duì)于高世代大尺寸顯示面板而言，由于素基底平坦度段差的急劇增加，僅依靠增大平坦化層厚度也不能達(dá)到較理想的平坦化水平。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的像素基底段差大、平坦度差的問題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管層，設(shè)置于所述襯底基板上，所述薄膜晶體管層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板依次設(shè)置的多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板依次設(shè)置的導(dǎo)電層和絕緣層，所述絕緣層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域，以及與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域；至少一層所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度；

平坦層，設(shè)置于所述薄膜晶體管層上。

在一些實(shí)施例中，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度。

在一些實(shí)施例中，所述絕緣層由有機(jī)材料制成。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面與所述襯底基板之間具有第一最大距離和第一最小距離，所述第一最大距離與所述第一最小距離具有第一高度差，所述多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差在遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向上逐漸減小。

在一些實(shí)施例中，靠近所述襯底基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差小于或等于800nm。

在一些實(shí)施例中，靠近所述平坦層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差小于或等于600nm。

在一些實(shí)施例中，所述平坦層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè)表面與所述襯底基板之間具有第二最大距離和第二最小距離，所述第二最大距離與所述第二最小距離具有第二高度差，所述第二高度差小于或等于200nm。

在一些實(shí)施例中，所述薄膜晶體管層包括兩層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，靠近所述襯底基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的導(dǎo)電層和絕緣層依次為遮光金屬層和緩沖層，靠近所述平坦層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的導(dǎo)電層和絕緣層依次為柵極層和層間介質(zhì)層，所述緩沖層和所述柵極層之間沿遠(yuǎn)離所述襯底基板依次設(shè)置有有源層和柵極絕緣層，所述層間介質(zhì)層上設(shè)置有源漏極層，所述源漏極層與所述有源層和所述遮光金屬層電連接。

在一些實(shí)施例中，所述有源層至少一側(cè)設(shè)置有阻隔層。

在一些實(shí)施例中，所述阻隔層的厚度小于或等于1000埃。

在一些實(shí)施例中，所述陣列基板還包括陽極層，所述陽極層設(shè)置于所述平坦層上，所述陽極層與所述源漏極層電連接。