[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法

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• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113097223A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐甲;張曉星
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管層，設(shè)置于所述襯底基板上，所述薄膜晶體管層包括沿遠離所述襯底基板依次設(shè)置的多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括沿遠離所述襯底基板依次設(shè)置的導(dǎo)電層和絕緣層，所述絕緣層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域，以及與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域；至少一層所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的所述第一區(qū)域的厚度小于所述第二區(qū)域的厚度；

平坦層，設(shè)置于所述薄膜晶體管層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層由有機材料制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)表面與所述襯底基板之間具有第一最大距離和第一最小距離，所述第一最大距離與所述第一最小距離具有第一高度差，所述多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差在遠離所述襯底基板的方向上逐漸減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，靠近所述襯底基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差小于或等于800nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，靠近所述平坦層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的第一高度差小于或等于600nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層遠離所述薄膜晶體管層的一側(cè)表面與所述襯底基板之間具有第二最大距離和第二最小距離，所述第二最大距離與所述第二最小距離具有第二高度差，所述第二高度差小于或等于200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層包括兩層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，靠近所述襯底基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的導(dǎo)電層和絕緣層依次為遮光金屬層和緩沖層，靠近所述平坦層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的導(dǎo)電層和絕緣層依次為柵極層和層間介質(zhì)層，所述緩沖層和所述柵極層之間沿遠離所述襯底基板依次設(shè)置有有源層和柵極絕緣層，所述層間介質(zhì)層上設(shè)置有源漏極層，所述源漏極層與所述有源層和所述遮光金屬層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層至少一側(cè)設(shè)置有阻隔層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述阻隔層的厚度小于或等于1000埃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括陽極層，所述陽極層設(shè)置于所述平坦層上，所述陽極層與所述源漏極層電連接。

12.一種顯示面板，其特征在于，包括：

陣列基板，包括權(quán)利要求1至11任一項所述的陣列基板；

發(fā)光器件，設(shè)置于所述陣列基板上；

封裝組件，設(shè)置于所述發(fā)光器件上。

13.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上依次設(shè)置多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層包括沿遠離所述襯底基板依次設(shè)置的導(dǎo)電層和絕緣層，所述絕緣層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域，以及與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域；至少一層所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的絕緣層的所述第一區(qū)域的厚度小于所述第二區(qū)域的厚度；

在所述多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層上形成平坦層。