[發明專利]陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 202110284741.7 | 申請日: | 2021-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN113097255B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 陳小童 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種陣列基板,包括顯示區域及位于顯示區域邊緣的外圍區域,其特征在于,所述陣列基板包括:
襯底基板;
絕緣層,設置于所述襯底基板上,并設有兩個間隔設置的槽以裸露位于所述外圍區域中的部分所述襯底基板;以及
導電走線,設置于所述襯底基板和所述絕緣層上,并填充于所述槽中;
其中,兩個所述槽之間形成一凸起,所述導電走線進一步覆蓋所述凸起,所述凸起的形狀為半圓形。
2.根據權利要求1所述陣列基板,其特征在于,所述導電走線為單層或多層的Cu、Mo、Ti、或Al,或它們的合金材料。
3.根據權利要求1所述陣列基板,其特征在于,所述絕緣層為SiNx和SiO2中的一種、或者它們的組合。
4.根據權利要求1所述陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
金屬遮光層,與所述導電走線同層且間隔開地設置;
緩沖層,位于所述導電走線和所述金屬遮光層上且覆蓋所述絕緣層;
設置于所述緩沖層上的薄膜晶體管和介電層,所述薄膜晶體管位于所述金屬遮光層在所述襯底基板的正投影區域的上方;以及
設置于所述薄膜晶體管和所述介電層上的鈍化層、陽極、以及像素定義層。
5.根據權利要求1所述陣列基板,其特征在于,所述導電走線的厚度為500-2000埃。
6.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一襯底基板,所述襯底基板包括顯示區域及位于顯示區域邊緣的外圍區域;
在所述襯底基板上形成絕緣層,其中所述絕緣層設有兩個間隔開的槽以裸露位于所述外圍區域中的部分所述襯底基板,兩個所述槽之間形成一凸起;以及
在所述襯底基板和所述絕緣層上形成導電走線,其中所述導電走線填充于所述槽中,并覆蓋所述凸起,所述凸起為半圓形。
7.根據權利要求6所述陣列基板的制作方法,其特征在于,還包括以下步驟:
與所述導電走線同層且間隔開地形成金屬遮光層;
在所述導電走線和所述金屬遮光層上形成緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述絕緣層;
在所述緩沖層上形成薄膜晶體管和介電層,其中所述薄膜晶體管位于所述金屬遮光層在所述襯底基板的正投影區域的上方;以及
在所述薄膜晶體管和所述介電層上形成鈍化層、陽極、以及像素定義層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





