[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202110282798.3
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113097407A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 胡威威;林高波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本申請提供一種OLED顯示面板及其制備方法，OLED顯示面板包括同層且絕緣設置的輔助電極、源極、以及漏極，輔助電極上方區域形成有過孔，過孔的內側壁形成有底腔、以及設置在底腔上方的懸空部，陰極通過過孔延伸至底腔內與輔助電極搭接，降低了陰極的電流壓降。

技術領域

本申請涉及OLED顯示技術領域，具體涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。

背景技術

現有OLED顯示面板的陰極因為面積大、厚度薄，因此陰極的電阻較大，存在電流壓降(IR-drop)嚴重，導致OLED顯示面板有明顯的亮度不均勻。

現有技術通常提供一輔助電極與所述金屬陰極搭接來降低電流壓降，通常采用在陰極和輔助電極之間設置倒梯形的隔離柱，但是隔離柱體積占比大，影響開口率和封裝，而且原材料的選擇性較少，制作工藝變得復雜，降低生產效率。

因此，現有OLED顯示面板存在陰極電流壓降大導致亮度不均的技術問題。

發明內容

本申請實施例提供一種OLED顯示面板和一種OLED顯示面板制備方法，可以緩解現有OLED顯示面板存在陰極電流壓降大導致亮度不均的技術問題。

本申請實施例提供一種OLED顯示面板制備方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上制備驅動電路層和輔助電極，所述驅動電路層包括多層膜層，所述輔助電極與所述驅動電路層中的至少一膜層同層設置；

在所述輔助電極上制備犧牲層；

在所述驅動電路層上制備平坦層，所述平坦層包括使部分所述輔助電極和部分所述犧牲層裸露的過孔；

在所述平坦層上形成陽極材料層，對所述陽極材料層及所述犧牲層進行蝕刻工藝，以使所述陽極材料層形成陽極，以及去除所述犧牲層以在所述過孔內側形成底腔，所述底腔在所述過孔內形成材料隔斷區；

在所述平坦層上制備發光層以及陰極，所述發光層和所述陰極延伸至所述過孔內并與所述輔助電極搭接。

可選的，在本申請的一些實施例中，制備得到犧牲層的步驟還包括：所述犧牲層為單層結構，所述單層結構包括氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦鎵鋅中的任一種。

可選的，在本申請的一些實施例中，制備得到像素定義層、發光層、以及陰極的步驟還包括：制備所述發光層時采用第一蒸鍍角，所述第二蒸鍍角不同于所述第一蒸鍍角，使發光層無法完全覆蓋所述底腔內的所述輔助電極。

可選的，在本申請的一些實施例中，制備得到像素定義層、發光層、以及陰極的步驟還包括：制備所述陰極時采用第二蒸鍍角，在所述底腔內形成所述陰極，所述陰極與所述輔助電極在所述底腔內搭接。

可選的，在本申請的一些實施例中，去除所述犧牲層形成底腔的步驟還包括：提供一銀酸/草酸刻蝕液，整面用銀酸/草酸刻蝕液對所述犧牲層進行刻蝕，去除所述犧牲層以形成所述底腔。

本申請實施例提供一種OLED顯示面板，包括：

襯底；

TFT器件，所述TFT器件設置在所述襯底上，所述TFT器件包括層間絕緣層、以及設置在所述層間絕緣層上的源極和漏極；

發光器件，所述發光器件設置在所述TFT器件上方，所述發光器件包括陽極、像素定義層、發光層、陰極；

其中，所述OLED顯示面板包括輔助電極，所述輔助電極與所述源極、所述漏極同層且絕緣設置，所述輔助電極上方區域形成有過孔，所述過孔的內側壁形成有底腔、以及設置在所述底腔上方的懸空部，所述陰極通過所述過孔延伸至所述底腔內與所述輔助電極搭接。