[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202110282798.3
• 申請日: 2021-03-16
• 公開（公告）號: CN113097407A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 胡威威;林高波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種OLED顯示面板制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上制備驅動電路層和輔助電極，所述驅動電路層包括多層膜層，所述輔助電極與所述驅動電路層中的至少一膜層同層設置；

在所述輔助電極上制備犧牲層；

在所述驅動電路層上制備平坦層，所述平坦層包括使部分所述輔助電極和部分所述犧牲層裸露的過孔；

在所述平坦層上形成陽極材料層，對所述陽極材料層及所述犧牲層進行蝕刻工藝，以使所述陽極材料層形成陽極，以及去除所述犧牲層以在所述過孔內側形成底腔，所述底腔在所述過孔內形成材料隔斷區；

在所述平坦層上制備發光層以及陰極，所述發光層和所述陰極延伸至所述過孔內并與所述輔助電極搭接。

2.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，制備得到犧牲層的步驟還包括：

所述犧牲層為單層結構，所述單層結構包括氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦鎵鋅中的任一種。

3.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，制備得到像素定義層、發光層、以及陰極的步驟還包括：

制備所述發光層時采用第一蒸鍍角，使發光層無法完全覆蓋所述底腔內的所述輔助電極。

4.如權利要求3所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，制備得到像素定義層、發光層、以及陰極的步驟還包括：

制備所述陰極時采用第二蒸鍍角，所述第二蒸鍍角不同于所述第一蒸鍍角，在所述底腔內形成所述陰極，所述陰極與所述輔助電極在所述底腔內搭接。

5.如權利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，去除所述犧牲層形成底腔的步驟還包括：

提供一銀酸/草酸刻蝕液，整面用銀酸/草酸刻蝕液對所述犧牲層進行刻蝕，去除所述犧牲層以形成所述底腔。

6.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

TFT器件，所述TFT器件設置在所述襯底上，所述TFT器件包括層間絕緣層、以及設置在所述層間絕緣層上的源極和漏極；

發光器件，所述發光器件設置在所述TFT器件上方，所述發光器件包括陽極、像素定義層、發光層、陰極；

其中，所述OLED顯示面板包括輔助電極，所述輔助電極與所述源極、所述漏極同層且絕緣設置，所述輔助電極上方區域形成有過孔，所述過孔的內側壁形成有底腔、以及設置在所述底腔上方的懸空部，所述陰極通過所述過孔延伸至所述底腔內與所述輔助電極搭接。

7.如權利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述層間絕緣層上設置有鈍化層、平坦層、以及像素定義層，所述鈍化層形成有底腔、以及設置在所述底腔上方的懸空部，所述輔助電極上方區域的所述鈍化層、所述平坦層、所述像素定義層形成有所述過孔。

8.如權利要求7所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述底腔在所述襯底上的正投影與所述層間絕緣層在所述襯底上的正投影重疊。

9.如權利要求8所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述陰極被所述底腔隔斷形成相互絕緣的第一陰極部和第二陰極部，所述第一陰極部與所述輔助電極搭接，所述第二陰極部設置在所述懸空部上方。

10.如權利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一陰極部在所述襯底上的正投影與所述第二陰極部在所述襯底上的正投影有部分重疊區域。