[發(fā)明專利]一種太陽能鉬靶坯及其制備方法和用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110282744.7 | 申請日： | 2021-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN113061851B | 公開（公告）日： | 2023-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姚力軍;郭紅波;潘杰;王學(xué)澤;丁躍躍 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;B22F3/04;B22F3/10;B22F3/18;B22F3/24;B22F5/00;C21D1/26;C22F1/18;B22F7/08 |
| 代理公司： | 北京遠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽能 鉬靶坯 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種太陽能鉬靶坯的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括依次進行的高純鉬粉篩分和裝模、冷等靜壓、燒結(jié)、熱軋、退火，制備得到太陽能鉬靶坯；
其中，所述燒結(jié)在氫氣氣氛下進行，且所述燒結(jié)的目標(biāo)溫度為1800-2100℃；在20-950℃的升溫階段，控制氫氣流量為0.5-0.6m3/h；在950-1650℃的升溫階段，控制氫氣流量為1-2m3/h；在1650℃至所述目標(biāo)溫度的升溫階段，控制氫氣流量為0.5-0.6m3/h；在所述燒結(jié)的降溫階段，控制氫氣流量為0.5-0.6m3/h；
所述燒結(jié)在升溫階段包括如下步驟：
(c1)用1-5h從20℃升溫至100-500℃，保溫1-5h；
(c2)用3-5h從100-500℃升溫至500-800℃，保溫1-5h；
(c3)用3-5h從500-800℃升溫至800-1100℃，保溫2-5h；
(c4)用7-12h從800-1100℃升溫至1100-1600℃，保溫2-7h；
(c5)用3-8h從1100-1600℃升溫至1500-1800℃，保溫1-6h；
(c6)用7-12h從1500-1800℃升溫至所述目標(biāo)溫度1800-2100℃，保溫3-8h；
所述燒結(jié)在降溫階段采用停火自然降溫的方式，當(dāng)溫度降低到70℃以下時，將燒結(jié)后的鉬靶坯取出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高純鉬粉的純度≥99.9wt％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高純鉬粉篩分包括采用振篩機進行篩分；所述高純鉬粉篩分后的激光粒度D50為8-16μm，激光粒度D90為18-30μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高純鉬粉裝模包括先將所述高純鉬粉裝入膠套并封口，然后將封口后的膠套裝入鋼套；所述膠套的長度為1200-1300mm，寬度為520-560mm，厚度為80-100mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，將所述鋼套通過料架置于冷等靜壓缸體內(nèi)進行所述冷等靜壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述冷等靜壓包括階段增壓和階段泄壓；
所述階段增壓包括如下步驟：
(a1)以0.4-0.6MPa/s的增壓速率，將壓力升高至10-20MPa，保壓時間為5-10s，并控制補壓壓力為8-18MPa；
(a2)以1.3-1.5MPa/s的增壓速率，將壓力升高至50-100MPa，保壓時間為200-400s，并控制補壓壓力為40-80MPa；
(a3)以1.0-1.3MPa/s的增壓速率，將壓力升高至100-160MPa，保壓時間為400-600s，并控制補壓壓力為80-130MPa；
(a4)以0.3-0.5MPa/s的增壓速率，將壓力升高至170-220MPa，保壓時間為800-1000s，并控制補壓壓力為140-170MPa；
所述階段泄壓包括如下步驟：
(b1)以0.5-0.8MPa/s的泄壓速率，將壓力降低至150-200MPa；
(b2)以0.8-1.1MPa/s的泄壓速率，將壓力降低至50-100MPa；
(b3)以1.0-1.3MPa/s的泄壓速率，將壓力降低至20-50MPa；
(b4)以1.3-1.5MPa/s的泄壓速率，將壓力降低至5-10MPa，然后自然泄壓至常壓。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
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C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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