[發(fā)明專利]一種近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110277041.5
• 申請(qǐng)日: 2021-03-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112745840B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王育華;張強(qiáng);馮鵬;王亞杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘭州大學(xué)
• 主分類號(hào): C09K11/66
• 分類號(hào): C09K11/66
• 代理公司: 蘭州智和專利代理事務(wù)所(普通合伙) 62201
• 代理人: 周立新

1.一種近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料，其特征在于，該長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的化學(xué)式為BaSi_1.5Ge_2.5-xO₉：xCr³⁺，其中0.002≤x≤0.02。

2.一種權(quán)利要求1所述近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，該制備方法具體按以下步驟進(jìn)行：

1）按照化學(xué)式BaSi_1.5Ge_2.5-xO₉：xCr³⁺中各原料的化學(xué)計(jì)量比，分別稱取各原料，分別取以下原料：

BaCO_3、BaO或Ba(NO₃)₂；

H₂SiO₃或SiO₂；

GeO₂和Cr₂O₃；

2）將所取各原料混合，并加入Li₂CO₃，充分混合研磨，得到原料粉末；置于通入惰性氣氛的環(huán)境中，升溫至1000～1100℃，焙燒4～6小時(shí)，隨爐冷卻至室溫，研磨，制得近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料。

3.如權(quán)利要求2所述的近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中，惰性氣氛為純氮?dú)饣蚣儦鍤狻?/p>

4.如權(quán)利權(quán)利要求2所述的近紅外硅鍺酸鹽長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中，以5℃/min的升溫速率升溫至1000～1100℃。