[發(fā)明專利]一種用于回旋加速器抗干擾電流靶

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110276487.6
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113050150B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁開忠;姚凱;宋云濤;吳昱城;陳永華;胡越;錢浩;陳馨宇
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥中科離子醫(yī)學(xué)技術(shù)裝備有限公司
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29;H05H13/00
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34160
• 代理人: 劉念

1.一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，包括銅片靶（1）、內(nèi)部聚酰亞胺絕緣層（2）、銅屏蔽層（3）、外部聚酰亞胺絕緣層（4）、屏蔽網(wǎng)（5）、陶瓷套管層（6）和屏蔽雙絞線（7），所述銅片靶（1）為長條形，且銅片靶（1）整體加工而成，所述銅片靶（1）由內(nèi)部聚酰亞胺絕緣層（2）和外部聚酰亞胺絕緣層（4）整體包裹，所述內(nèi)部聚酰亞胺絕緣層（2）和外部聚酰亞胺絕緣層（4）之間設(shè)置有銅屏蔽層（3）；

所述銅片靶（1）的后端開設(shè)有一個U型缺口，所述屏蔽雙絞線（7）的一端焊接在銅片靶（1）后端的U型缺口上，所述屏蔽雙絞線（7）設(shè)置在陶瓷套管層（6）的內(nèi)部，所述屏蔽雙絞線（7）和陶瓷套管層（6）設(shè)置在屏蔽網(wǎng)（5）的內(nèi)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述銅片靶（1）的高度是根據(jù)中心區(qū)氣隙設(shè)定。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，抗干擾電流靶到上、下兩塊假Dee距離為1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述銅片靶（1）的長度是根據(jù)中心區(qū)半徑設(shè)定，所述銅片靶（1）前端位于最小測量半徑時，銅片靶（1）后端的U型缺口與屏蔽雙絞線（7）接頭應(yīng)位于中心區(qū)半徑外。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述銅屏蔽層（3）由上下兩片折彎呈U型銅屏蔽片交叉合成，且兩片U型銅屏蔽片通過釬焊焊接連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述銅屏蔽層（3）是由厚度為0.1mm-0.15mm厚的銅片折彎制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述屏蔽網(wǎng)（5）的一端接地，所述屏蔽網(wǎng)（5）的另一端與抗干擾電流靶的銅屏蔽層（3）焊接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述外部聚酰亞胺絕緣層（4）將銅屏蔽層（3）外部整體包裹。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述外部聚酰亞胺絕緣層（4）、銅屏蔽層（3）、內(nèi)部聚酰亞胺絕緣層（2）的前端均切掉方形塊結(jié)構(gòu)露出銅片靶（1），使銅片靶（1）露出的方形窗口用于接受束流轟擊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于回旋加速器抗干擾電流靶，其特征在于，所述陶瓷套管層（6）是由若干個陶瓷套管串聯(lián)制成。