[發(fā)明專利]三維存儲(chǔ)器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110274672.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112928117B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏丙杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/11519 | 分類號(hào): | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國(guó)斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲(chǔ) 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種三維存儲(chǔ)器件,其特征在于,包括:
襯底,包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的臺(tái)階區(qū)和非臺(tái)階區(qū);
多個(gè)存儲(chǔ)塊,在所述襯底上沿垂直于第一方向的第二方向并列設(shè)置;以及
溝槽結(jié)構(gòu),設(shè)置于相鄰的所述存儲(chǔ)塊之間,所述溝槽結(jié)構(gòu)包括:虛擬溝道孔溝槽結(jié)構(gòu),及設(shè)置于所述非臺(tái)階區(qū)的柵線縫隙結(jié)構(gòu),
其中,所述虛擬溝道孔溝槽結(jié)構(gòu)包括:
第一折段,相對(duì)于所述第一方向傾斜至一側(cè),且為直線段;以及
第二折段,相對(duì)所述第一方向傾斜至另一側(cè),且為直線段,所述第二折段與所述第一折段在所述第一方向上從所述臺(tái)階區(qū)在所述第一方向上的一端交替地接續(xù)設(shè)置至所述臺(tái)階區(qū)在所述第一方向上的另一端,所述第一折段和所述第二折段之間的夾角值在80°至100°之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,在所述溝槽結(jié)構(gòu)中形成有空氣間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,所述存儲(chǔ)塊包括位于所述臺(tái)階區(qū)中的臺(tái)階區(qū)塊和位于所述非臺(tái)階區(qū)的存儲(chǔ)區(qū)塊;以及
其中,所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述相鄰的存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)區(qū)塊之間;以及
所述虛擬溝道孔溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述相鄰的存儲(chǔ)塊的臺(tái)階區(qū)塊之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,所述虛擬溝道孔溝槽結(jié)構(gòu)還包括:
至少一對(duì)夾板,與所述第一折段或所述第二折段一體式形成,夾持所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,所述第一折段的長(zhǎng)度和所述第二折段的長(zhǎng)度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,所述第一折段的長(zhǎng)度或所述第二折段的長(zhǎng)度在400nm~600nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲(chǔ)器件,其中,所述第一折段和所述第二折段的接續(xù)處為弧形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器件,還包括:
多個(gè)虛擬溝道結(jié)構(gòu),位于所述臺(tái)階區(qū),所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)沿所述存儲(chǔ)塊的堆疊方向貫穿所述存儲(chǔ)塊。
9.一種制造三維存儲(chǔ)器件的方法,其特征在于,包括:
基于晶圓形成連接為一體的多個(gè)三維存儲(chǔ)器件,包括:
基于所述晶圓形成襯底,其中,所述襯底包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的臺(tái)階區(qū)和非臺(tái)階區(qū);
在所述襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu),其中,所述堆疊結(jié)構(gòu)包括在垂直于所述第一方向的第二方向上并列設(shè)置的多個(gè)存儲(chǔ)塊;
形成沿所述堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊方向貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的溝槽,以分隔出在第二方向上相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)塊,其中,所述溝槽包括:設(shè)置于所述非臺(tái)階區(qū)的柵線縫隙槽,及虛擬溝道孔溝槽;其中,所述虛擬溝道孔溝槽包括:第一折段,相對(duì)于所述第一方向傾斜至一側(cè),且為直線段;以及第二折段,相對(duì)所述第一方向傾斜至另一側(cè),且為直線段,所述第二折段與所述第一折段在所述第一方向上從所述臺(tái)階區(qū)在所述第一方向上的一端交替地接續(xù)設(shè)置至所述臺(tái)階區(qū)在所述第一方向上的另一端,所述第一折段和所述第二折段之間的夾角值在80°至100°之間;以及
在所述溝槽中形成溝槽結(jié)構(gòu);以及
分離所述多個(gè)三維存儲(chǔ)器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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