[發(fā)明專利]干刻蝕基材形成蒙砂的方法、蒙砂基材和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110274308.5
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113060939B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐文江;黃文;吳承晚
• 申請（專利權(quán)）人: 藍思科技股份有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;C03C17/00;C09K13/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 聞盼盼

1.一種干刻蝕基材形成蒙砂的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（a）將改性紫外固化壓印材料均勻涂布在清潔后的基材上，形成紫外固化壓印材料層；

（b）將具有浮雕圖形結(jié)構(gòu)的壓印模板對紫外固化壓印材料層進行壓印，并進行UV固化，使壓印模板上的浮雕圖形轉(zhuǎn)印到紫外固化壓印材料層上，然后脫模；

（c）采用干刻蝕工藝對紫外固化壓印材料層和基材進行刻蝕，使微圖形轉(zhuǎn)移到基材上，形成蒙砂基材；

其中，所述改性紫外固化壓印材料通過以下方法制備得到：將納米硅化合物加入到偶聯(lián)劑溶液中分散均勻，然后再與紫外固化壓印材料充分混合，得到改性紫外固化壓印材料；納米硅化合物占改性紫外固化壓印材料的體積分數(shù)為4-5%；

刻蝕反應(yīng)氣體的流量范圍如下：CF₄流量100-120sccm，CHF₃流量70-80sccm，O₂流量8-12sccm；

基材和紫外固化壓印材料層的刻蝕選擇比為0.9-1.1；

所述納米硅化合物為納米碳化硅和/或納米氮化硅；

所述基材包括玻璃、石英、柔性聚酰亞胺材料中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（a）中，涂布為噴涂、條縫涂布或旋涂中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（a）中，紫外固化壓印材料層的厚度為500nm-5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（a）中，所述偶聯(lián)劑為硅烷類偶聯(lián)劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟（b）中，壓印的方式為滾壓，壓印模板包覆在滾輪上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟（b）中，滾壓速度為0.1-10m/min，滾壓壓力為500-5000N，壓印間隙為-1mm-5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟（b）中，壓印模板為透明柔性聚酰亞胺壓印模板或乙烯四氟乙烯壓印模板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟（b）中，UV固化的紫外光能量為1-5W/cm²，波長為365nm。

9.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟（b）中，?UV固化的時間為2-20s。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟（c）中，干刻蝕工藝采用反應(yīng)離子刻蝕工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟（c）中，刻蝕的真空度為12-15mTorr，放電功率為50-120w。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：刻蝕后剝離殘膠和清洗，形成蒙砂基材的步驟。

13.一種蒙砂基材，其特征在于，包括微結(jié)構(gòu)單元和基材，微結(jié)構(gòu)單元制備在基材上，所述微結(jié)構(gòu)單元制備在基材上采用權(quán)利要求1-12任一項所述的方法進行加工。

14.一種權(quán)利要求1-12任一項所述的方法或權(quán)利要求13所述的蒙砂基材在制備電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。