[發(fā)明專利]一種集成電路結構的形成方法

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• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113066732A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 胡楠;崔傳榮;肖敏;王琪;孔劍平
• 申請（專利權）人: 浙江毫微米科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292
• 代理人: 羅曉鵬

1.一種集成電路結構的形成方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S1，倒置頂面設有導電凸塊的至少一存儲器器件于表面設置有導電凸起的一處理器器件，并使所述存儲器器件和所述處理器器件部分交疊，且所述存儲器器件上的部分所述導電凸塊和所述處理器器件上的部分所述導電凸起相互接觸并導通；

S2，熱壓鍵合相互接觸的所述導電凸起和所述導電凸塊；

S3，倒置固定有所述存儲器器件的所述處理器器件于一半導體介質，以使頂面設置有導電凸臺的所述半導體介質上的所述導電凸臺與未被所述存儲器器件遮擋且位于所述處理器器件上的所述導電凸起；和

S4，熱壓鍵合相互接觸的所述導電凸起和所述導電凸臺，以使得所述存儲器器件、所述處理器器件和所述半導體介質分別形成上述一集成電路結構中存儲器、處理器和半導體襯底。

2.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述半導體介質預先布置布線層。

3.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述集成電路結構的形成方法還包括以下步驟：

S5，提供一設有凹槽的承載板；

S6，以導電凸起朝上的方式，置放所述處理器器件于所述凹槽；和

S7，在完成所述步驟S3后，移出所述承載板。

4.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述存儲器和熱壓鍵合后的導電凸起和所述導電凸塊在半導體襯底的厚度方向上的高度之和，與設置在所述處理器上朝向所述半導體襯底的一側和所述半導體襯底之間的所述導電凸臺和所述導電凸起在半導體襯底的厚度方向上的高度之和適配。

5.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，多個所述導電凸起以及多個所述導電凸塊間隔地設置。

6.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述集成電路結構包括兩層布線層，兩層所述布線層對稱地形成于所述半導體襯底的兩側。

7.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述集成電路結構包括多個電導件，所述半導體襯底的頂側和底側之間形成多個穿孔，每個所述導電件穿過所述穿孔后兩端分別電連接于位于所述半導體襯底頂側的所述布線層和位于所述半導體襯底底側的所述布線層，以形成特定的電路結構。

8.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述集成電路結構還包括一電源板，其中所述電源板被所述電連件導通于所述存儲器。

9.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述電源板上設置至少一旁路電容。

10.根據(jù)權利要求1所述集成電路結構的形成方法，其特征在于，所述處理器被實施為一微處理器。