[發明專利]WAT測試版圖、測試結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110273766.7
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113130341A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 夏禹;何志斌
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

1.一種WAT測試版圖，其特征在于，包括：

多個金屬柵形成區域，用于形成金屬柵，每個金屬柵形成區域的兩端包括接觸孔形成區域，用于形成接觸孔；

多個互連金屬線形成區域，用于形成互連金屬線，并互連金屬線形成區域的兩端分別覆蓋相鄰兩個金屬柵形成區域端部的接觸孔形成區域，以使多個金屬柵形成區域通過互連金屬線形成區域串聯起來，串聯的金屬柵形成區域的一端通過一金屬柵形成區域連接第一測試端形成區域，另一端通過一金屬柵形成區域連接第二測試端形成區域，并每一所述金屬柵形成區域的至少一側包括金屬形成區域，金屬形成區域與與其相鄰的金屬柵形成區域之間間隔一間距，并位于其中一金屬柵形成區域的至少一側的金屬形成區域的尺寸小于位于另一金屬柵形成區域的至少一側的金屬形成區域的尺寸。

2.根據權利要求1所述的WAT測試版圖，其特征在于，所述尺寸為金屬形成區域的寬度。

3.根據權利要求1所述的WAT測試版圖，其特征在于，多個金屬形成區域的尺寸從設計規則最小值逐漸變為設計規則允許的最大值。

4.根據權利要求3所述的WAT測試版圖，其特征在于，多個金屬柵形成區域從左向右依次排布，其中從與位于最左側的金屬柵形成區域相鄰的金屬形成區域到與位于最右側的金屬柵形成區域相鄰的金屬形成區域，金屬形成區域的尺寸從設計規則最小值逐漸變為設計規則允許的最大值。

5.根據權利要求1所述的WAT測試版圖，其特征在于，金屬形成區域與與其相鄰的金屬柵形成區域之間間隔的間距為不小于設計規則最小允許值。

6.一種采用權利要求1所述的WAT測試版圖形成測試結構的方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半導體襯底，與在半導體襯底上形成晶體管的偽柵極結構的同時，依據上述的WAT測試版圖在金屬柵形成區域和金屬形成區域形成多晶硅柵、第二層硬掩膜層和第一層硬掩膜層的迭加結構；

S2：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地形成一層光阻；

S3：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地進行光阻刻蝕工藝；

S4：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地進行去除硬掩膜層工藝；

S5：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地形成層間介質層并進行平坦化工藝；

S6：與在半導體襯底上去除晶體管的多晶硅柵，并在多晶硅柵去除區域形成金屬柵同時地，去除金屬柵形成區域和金屬形成區域的多晶硅柵，形成金屬層并進行平坦化，而在金屬柵形成區域形成金屬柵，在金屬形成區域形成金屬層；

S7：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地形成一層層間介質層，根據上述的WAT測試版圖形成接觸孔；以及

S8：與在半導體襯底上形成晶體管的區域同時地形成第一層金屬層，并根據上述的WAT測試版圖去除多余的金屬層，僅保留互連金屬線形成區域處的第一層金屬層而形成互連金屬線。

7.一種采用權利要求6所述的方法形成的測試結構，其特征在于，包括：多個金屬柵，每一金屬柵的兩端上形成有接觸孔，接觸孔還連接金屬互聯線，并金屬互聯線將多個金屬柵串聯起來，其中金屬柵的至少一側形成有金屬層，金屬層與與其相鄰的金屬柵之間間隔一間距，并位于其中一金屬柵的至少一側的金屬層的尺寸小于位于另一金屬柵的至少一側的金屬層的尺寸。

8.根據權利要求7所述的測試結構，其特征在于，多個金屬柵從左向右依次排布，其中從與位于最左側的金屬柵相鄰的金屬層到與位于最右側的金屬柵相鄰的金屬層，金屬層的尺寸從設計規則最小值逐漸變為設計規則允許的最大值。

9.根據權利要求7所述的測試結構，其特征在于，金屬層與與其相鄰的金屬柵之間間隔的間距為不小于設計規則最小允許值。

10.根據權利要求7所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構形成在晶圓的切割道上。