[發明專利]對準方法、對準裝置、對準設備及計算機存儲介質

在審

• 申請號: 202110273642.9
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN112967965A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 尹朋岸;胡思平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/67
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請提供的對準方法、對準裝置、對準設備及計算機存儲介質，當第二晶圓上的標識點位于對準件的對準間距內，通過獲取第一晶圓的第一變形量，根據第一變形量得出第二變形量，控制調整件以第二變形量形變，調整件形變時帶動第二晶圓產生目標變形量，使得第二晶圓匹配第一晶圓的形變。在第二晶圓形變時，根據目標變形量得到第二晶圓上標識點的第一運動距離，當第一運動距離大于預設距離時，對準件對準標識點產生偏差或無法對準標識點，因此根據第一運動距離控制對準件相對標識點運動第二距離，以使標識點位于對準件的對準間距內，對準件重新對準標識點，使第二晶圓匹配第一晶圓形變，提升對準件的對準精度與穩定度，進而提升晶圓之間的鍵合質量。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及對準方法、對準裝置、對準設備及計算機存儲介質。

背景技術

隨著電子設備的不斷發展，由于電子設備的便攜性、以及豐富多樣的操作性，現已備受廣大用戶的喜愛。但同時用戶對電子設備的期望值與要求也越來越高，大大提升了對半導體芯片的需求。在半導體制造過程中，由于半導體芯片的集成度越來越高，關鍵尺寸越做越小，晶圓制造對半導體器件的制造越來越重要。例如，在晶圓在制程加工過程中，受到諸多表面薄膜以及熱處理的影響，晶圓會積累大量的應力，從而發生一定程度的彎曲和膨脹，從而影響不同晶圓的鍵合對準工作。

發明內容

鑒于此，本申請第一方面提供了一種對準方法，包括：

當第二晶圓上的標識點位于對準件的對準間距內時，獲取第一晶圓的第一變形量；

根據所述第一變形量控制調整件以第二變形量形變，以使設于所述調整件上的所述第二晶圓產生目標變形量的形變；

根據所述目標變形量得到所述第二晶圓上的標識點的第一運動距離；以及

當所述第一運動距離大于預設距離時，根據所述第一運動距離控制對準件相對所述標識點運動第二運動距離，以使所述標識點位于所述對準件的對準間距內。

本申請第一方面提供的對準方法，當第二晶圓上的標識點位于對準件的對準間距內時，對準件對準標識點，通過獲取第一晶圓的第一變形量，根據第一變形量得出第二變形量，控制調整件以第二變形量形變，由于第二晶圓設于調整件上，調整件形變時帶動第二晶圓產生目標變形量的形變，使得第二晶圓匹配第一晶圓的形變。

在第二晶圓形變時，根據目標變形量得到第二晶圓上的標識點的第一運動距離，當第一運動距離大于預設距離時，對準件對準標識點產生偏差或無法對準標識點，因此根據第一運動距離控制對準件相對標識點運動第二距離，以使標識點位于對準件的對準間距內，對準件重新對準標識點，使第二晶圓匹配第一晶圓形變的同時，提升對準件的對準精度與對準穩定度，進而提升晶圓之間的鍵合質量。

其中，“當所述第二晶圓上的標識點位于對準件的對準間距內時，獲取所述第一晶圓的第一變形量”包括：

獲取所述第二晶圓上的所述標識點與所述對準件的初始距離；

根據所述初始距離，判斷所述第二晶圓上的所述標識點是否位于所述對準件的對準間距內；

當所述第二晶圓上的所述標識點位于所述對準件的所述對準間距內時，獲取所述第一晶圓的第一變形量。

其中，“根據所述第一變形量控制調整件以第二變形量形變，以使設于所述調整件上的所述第二晶圓產生目標變形量的形變”包括：

獲取所述第二晶圓的初始變形量、獲取所述調整件的初始變形量；

根據所述第一變形量、所述第二晶圓的初始變形量、及所述調整件的初始變形量控制所述調整件以所述第二變形量形變。

其中，“根據所述第一變形量控制調整件以第二變形量形變，以使設于所述調整件上的所述第二晶圓產生目標變形量的形變”包括：