[發(fā)明專(zhuān)利]對(duì)準(zhǔn)方法、對(duì)準(zhǔn)裝置、對(duì)準(zhǔn)設(shè)備及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110273642.9
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112967965A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹朋岸;胡思平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/68
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/68;H01L21/67
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，用于對(duì)準(zhǔn)第一晶圓與第二晶圓，包括：

當(dāng)所述第二晶圓上的標(biāo)識(shí)點(diǎn)位于對(duì)準(zhǔn)件的對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)時(shí)，獲取所述第一晶圓的第一變形量；

根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變；

根據(jù)所述目標(biāo)變形量得到所述第二晶圓上的所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)的第一運(yùn)動(dòng)距離；以及

當(dāng)所述第一運(yùn)動(dòng)距離大于預(yù)設(shè)距離時(shí)，根據(jù)所述第一運(yùn)動(dòng)距離控制所述對(duì)準(zhǔn)件相對(duì)所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)第二運(yùn)動(dòng)距離，以使所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)位于所述對(duì)準(zhǔn)件的對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，“當(dāng)所述第二晶圓上的標(biāo)識(shí)點(diǎn)位于對(duì)準(zhǔn)件的對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)時(shí)，獲取所述第一晶圓的第一變形量”包括：

獲取所述第二晶圓上的所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)與所述對(duì)準(zhǔn)件的初始距離；

根據(jù)所述初始距離，判斷所述第二晶圓上的所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)是否位于所述對(duì)準(zhǔn)件的對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)；

當(dāng)所述第二晶圓上的所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)位于所述對(duì)準(zhǔn)件的所述對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)時(shí)，獲取所述第一晶圓的第一變形量。

3.如權(quán)利要求1所述，其特征在于，“根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變”包括：

獲取所述第二晶圓的初始變形量、獲取所述調(diào)整件的初始變形量；

根據(jù)所述第一變形量、所述第二晶圓的初始變形量、及所述調(diào)整件的初始變形量控制所述調(diào)整件以所述第二變形量形變。

4.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，“根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變”包括：

當(dāng)所述第二晶圓貼合所述調(diào)整件時(shí)，根據(jù)所述第一變形量控制所述調(diào)整件以所述第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓產(chǎn)生所述目標(biāo)變形量的形變；其中，所述目標(biāo)變形量等于所述第二變形量。

5.如權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，在“當(dāng)所述第二晶圓貼合所述調(diào)整件時(shí)，根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變”之前，還包括：

獲取所述第二晶圓與所述調(diào)整件之間的氣體量；

根據(jù)所述氣體量，判斷所述第二晶圓是否貼合所述調(diào)整件。

6.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，在“根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變”之前，還包括；

獲取所述第二晶圓上的所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)與所述對(duì)準(zhǔn)件的初始距離；

在“根據(jù)所述第一變形量控制調(diào)整件以第二變形量形變，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓產(chǎn)生目標(biāo)變形量的形變”之后，還包括：

根據(jù)所述初始距離與所述目標(biāo)形變量得到所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)的第一運(yùn)動(dòng)方向；

根據(jù)所述第一運(yùn)動(dòng)方向得到所述對(duì)準(zhǔn)件的第二運(yùn)動(dòng)方向；其中，所述第一運(yùn)動(dòng)方向與所述第二運(yùn)動(dòng)方向相同。

7.如權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，“當(dāng)所述第一運(yùn)動(dòng)距離大于預(yù)設(shè)距離時(shí)，根據(jù)所述第一運(yùn)動(dòng)距離控制所述對(duì)準(zhǔn)件相對(duì)所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)第二運(yùn)動(dòng)距離，以使所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)位于所述對(duì)準(zhǔn)件的對(duì)準(zhǔn)間距內(nèi)”之后，還包括：

控制所述調(diào)整件相對(duì)所述第一晶圓運(yùn)動(dòng)，以使設(shè)于所述調(diào)整件上的所述第二晶圓的表面與所述第一晶圓的表面鍵合；

根據(jù)所述標(biāo)識(shí)點(diǎn)的所述第二運(yùn)動(dòng)距離與所述第二運(yùn)動(dòng)方向，控制所述對(duì)準(zhǔn)件回歸初始位置。