[發明專利]一種錫酸鎘金相試樣及其制備方法

在審

• 申請號: 202110273640.X
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113092199A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 周榮艷;吳彩虹;余飛;文崇斌
• 申請（專利權）人: 先導薄膜材料（廣東）有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文

本發明公開了一種錫酸鎘金相試樣及其制備方法，屬于工業材料制備領域。本發明所述錫酸鎘金相試樣的制備方法中，對錫酸鎘試樣經特定打磨及機械拋光處理，可有效避免傳統打磨過程中出現斜面，進而導致金相在觀察時出現模糊不清的缺陷；所述金相試樣經后續表面化學腐蝕處理后，可在顯微觀察下清晰完整地觀測到顯微組織，樣品上無明顯劃痕、疵點或凹坑缺陷；該方法具有操作步驟簡單、成本低及耗時短的優點，在評價錫酸鎘靶材晶粒情況及性能研究方面具有實用意義。本發明還公開了所述錫酸鎘金相試樣的制備方法得到的錫酸鎘金相試樣，該產品表面平整光滑無瑕疵，在顯微觀察下微觀組織清晰，可實現對其晶粒大小及均勻性的有效評價。

技術領域

本發明涉及工業材料制備領域，具體涉及一種錫酸鎘金相試樣及其制備方法。

背景技術

透明導電薄膜主要分為金屬薄膜、氧化物薄膜以及其它化合物薄膜等三大類。錫酸鎘薄膜因其具有優異的電學和光學性能成為了近幾年來研究最廣泛的化合物薄膜之一。目前，錫酸鎘薄膜主要是通過濺射錫酸鎘靶材來制備的，因此錫酸鎘靶材性能的好壞對其薄膜的性能有直接的影響。由于晶粒大小及均勻性是錫酸鎘靶材性能的重要影響因素之一，因此，對錫酸鎘靶材的晶粒大小及均勻性進行觀察具有很高的實用價值。

現有技術在檢測錫酸鎘靶材的晶粒大小及均勻性時大部分采用斷面掃描電子顯微鏡進行直接觀察，然而此方法的觀察樣品制備復雜，通常需要需先將樣品加工成薄片；同時該方法測試成本較高，且制樣斷裂過程中會造成部分晶粒碎裂。另一方面，金相觀察法因其可以評判樣品的晶粒大小及均勻性且測試成本較低，所以在材料的研究中占有舉足輕重的作用。然而目前并沒有制備錫酸鎘靶材的金相試樣并進行金相觀察的相關報道。

發明內容

基于現有技術存在的缺陷，本發明的目的在于提供了一種錫酸鎘金相試樣的制備方法，所述方法操作簡單便捷，成本較低，彌補了現有技術中錫酸鎘金相試樣制備的空缺，制備試樣表面平整無缺陷，在金相顯微鏡下可清晰觀察到完整的金相組織。

為了達到上述目的，本發明采取的技術方案為：

一種錫酸鎘金相試樣的制備方法，包括以下步驟：

(1)按金相制樣標準，將錫酸鎘靶材切割為錫酸鎘試樣A；

(2)將錫酸鎘試樣A進行打磨處理：試樣首先使用400目水性砂紙進行打磨處理第一預設時間，打磨時對試樣施加垂直向下的力；隨后將試樣旋轉180°并用同樣的方法打磨，所述打磨時間與第一預設時間相同；待打磨完成后，再依次使用800目、1500目和3000目的水性砂紙重復上述步驟，得錫酸鎘試樣B；所述水性砂紙在更換時將試樣旋轉90°；

(3)將錫酸鎘試樣B進行機械拋光處理：試樣首先使用金絲絨進行機械拋光處理第二預設時間，機械拋光時對試樣施加垂直向下的力；隨后將試樣旋轉180°并用同樣的方法機械拋光，所述機械拋光時間與第二預設時間相同，得錫酸鎘試樣C；

(4)將步驟(3)所得錫酸鎘試樣C進行金相化學腐蝕浸沒處理后，沖洗干凈并自然風干，即得所述錫酸鎘金相試樣。

本發明所述錫酸鎘金相試樣的制備方法中，對錫酸鎘試樣經特定打磨及機械拋光處理，可有效避免傳統打磨過程中出現斜面，進而導致金相在觀察時出現模糊不清的缺陷；所述金相試樣經后續表面化學腐蝕處理后，可在金相顯微鏡下清晰完整地觀測到顯微組織，樣品上無明顯劃痕、疵點或凹坑缺陷；該方法具有操作步驟簡單、成本低及耗時短的優點，在評價錫酸鎘靶材晶粒情況及性能研究方面具有實用意義。

優選地，所述第一預設時間為1～2min，所述第二預設時間為4～6min。

所述打磨及機械拋光時間下可有效使金相試樣表面更加光滑平整，不會出現瑕疵或凹坑等缺陷，金相組織可在顯微觀察下清晰呈現。

優選地，所述步驟(2)和(3)中對試樣施加的垂直向下的力為20～25N。