[發(fā)明專利]MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110273477.7
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN113014217A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國勇;陳華;孟真;閻躍鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H03F3/45
• 分類號(hào): H03F3/45;H03F1/42
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 苑晨超

1.一種MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：

共柵極放大器；

恒流源，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于為所述共柵極放大器提供偏置電流；

第一反相放大器，具有負(fù)反饋電阻，所述第一反相放大器的輸入端與所述共柵極放大器的輸出端電連接；

輸入端口，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于接收MEMS傳感器的電流信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：

隔直電容，輸入端與所述第一反相放大器的輸出端電連接；

第二反相放大器，輸入端與所述隔直電容的輸出端電連接；

恒壓源，與所述第二反相放大器的輸入端電連接；

第三反相放大器，所述第三反相放大器的輸入端與所述第二反相放大器的輸出端電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括緩沖器，所述緩沖器的輸入端與所述第三反相放大器的輸出端電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述緩沖器包括：

第一NMOS，所述第一NMOS的源極接地，所述第一NMOS的柵極與所述第三反相放大器的輸出端電連接；

第一負(fù)載電阻，所述第一負(fù)載電阻的一端與工作電壓源電連接，所述第一負(fù)載電阻的另一端與第一NMOS的漏極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二反相放大器包括：

第一PMOS，所述第一PMOS的源極與工作電壓源電連接，所述第一PMOS的柵極與所述隔直電容和所述恒壓源電連接；

第二NMOS，所述第二NMOS的源極接地，所述第二NMOS的漏極與所述第一PMOS的漏極電連接，所述第二NMOS的柵極與所述隔直電容和所述恒壓源電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第三反相放大器包括：

第二PMOS，所述第二PMOS的源極與工作電壓源電連接，所述第二PMOS的柵極與所述第二反相放大器的輸出端電連接；

第三NMOS，所述第三NMOS的源極接地，所述第三NMOS的漏極與所述第二PMOS的漏極電連接，所述第三NMOS的柵極與所述第二反相放大器的輸出端電連接；

電阻串，所述電阻串的一端與所述第二反相放大器的輸出端電連接，所述電阻串的另一端與所述第二PMOS的漏極和所述第三NMOS的漏極電連接；其中，

所述電阻串包括串聯(lián)連接的第一子電阻和第二子電阻；所述第三反相放大器還包括第三PMOS，所述第三PMOS的源極和漏極接地，所述第三PMOS的柵極與所述第一子電阻和第二子電阻的公共端電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述恒流源包括：

電流源；

第四NMOS，所述第四NMOS的源極接地，所述第四NMOS的漏極與所述電流源的正極電連接；

第五NMOS，所述第五NMOS的源極接地，所述第五NMOS的漏極與所述共柵極放大器的放大管源端連接；

所述第四NMOS的柵極和第五NMOS的柵極均與所述第四NMOS的漏極電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述共柵極放大器包括：

放大管，所述放大管的源極與所述恒流源電連接，所述放大管的柵極與偏置電壓電路連接；

第二負(fù)載電阻，所述第二負(fù)載電阻的一端與所述放大管的漏極電連接，所述第二負(fù)載電阻的另一端與工作電壓源電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一反向放大器包括：

第四PMOS，所述第四PMOS的源極與工作電壓源電連接，所述第四PMOS的柵極與所述共柵極放大器的輸出端電連接；

第六NMOS，所述第六NMOS的源極接地，所述第六NMOS的漏極與所述第四PMOS的漏極電連接，所述第六NMOS的柵極與所述共柵極放大器的輸出端電連接；

反饋電阻，所述反饋電阻的一端與所述共柵極放大器的輸出端電連接，所述反饋電阻的另一端與所述第四PMOS的漏極和第六NMOS的漏極電連接。