[發(fā)明專利]MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110273477.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN113014217A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國(guó)勇;陳華;孟真;閻躍鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H03F3/45
• 分類號(hào): H03F3/45;H03F1/42
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 苑晨超

本發(fā)明提供一種MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，包括：共柵極放大器；恒流源，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于為所述共柵極放大器提供偏置電流；第一反相放大器，具有負(fù)反饋電阻，所述第一反相放大器的輸入端與所述共柵極放大器的輸出端電連接；輸入端口，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于接收MEMS傳感器的電流信號(hào)。本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠同時(shí)提高M(jìn)EMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路的帶寬和增益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及放大電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

MEMS傳感器具有體積小、重量輕、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)，在低成本的慣性導(dǎo)航系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，MEMS傳感器采用閉環(huán)驅(qū)動(dòng)，作為閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵部分，跨阻放大器的性能影響著整個(gè)傳感器穩(wěn)定性。MEMS傳感器對(duì)驅(qū)動(dòng)電路所提供的帶寬和增益有著十分嚴(yán)格的要求，只有在驅(qū)動(dòng)電路的帶寬和增益同時(shí)滿足要求的情況下，才能使MEMS傳感器起振。然而跨阻放大器的增益和帶寬通常是互相制約的關(guān)系，很難做到增益和帶寬的同時(shí)增加。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供的MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，能夠同時(shí)提高M(jìn)EMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路的帶寬和增益。

本發(fā)明提供一種MEMS傳感器驅(qū)動(dòng)電路，包括：

共柵極放大器；

恒流源，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于為所述共柵極放大器提供偏置電流；

第一反相放大器，具有負(fù)反饋電阻，所述第一反相放大器的輸入端與所述共柵極放大器的輸出端電連接；

輸入端口，與所述共柵極放大器的放大管的源極電連接，用于接收MEMS傳感器的電流信號(hào)。

可選地，還包括：

隔直電容，輸入端與所述第一反相放大器的輸出端電連接；

第二反相放大器，輸入端與所述隔直電容的輸出端電連接；

恒壓源，與所述第二反相放大器的輸入端電連接；

第三反相放大器，所述第三反相放大器的輸入端與所述第二反相放大器的輸出端電連接。

可選地，還包括緩沖器，所述緩沖器的輸入端與所述第三反相放大器的輸出端電連接。

可選地，所述緩沖器包括：

第一NMOS，所述第一NMOS的源極接地，所述第一NMOS的柵極與所述第三反相放大器的輸出端電連接；

第一負(fù)載電阻，所述第一負(fù)載電阻的一端與工作電壓源電連接，所述第一負(fù)載電阻的另一端與第一NMOS的漏極電連接。

可選地，所述第二反相放大器包括：

第一PMOS，所述第一PMOS的源極與工作電壓源電連接，所述第一PMOS的柵極與所述隔直電容和所述恒壓源電連接；

第二NMOS，所述第二NMOS的源極接地，所述第二NMOS的漏極與所述第一PMOS的漏極電連接，所述第二NMOS的柵極與所述隔直電容和所述恒壓源電連接。

可選地，所述第三反相放大器包括：

第二PMOS，所述第二PMOS的源極與工作電壓源電連接，所述第二PMOS的柵極與所述第二反相放大器的輸出端電連接；

第三NMOS，所述第三NMOS的源極接地，所述第三NMOS的漏極與所述第二PMOS的漏極電連接，所述第三NMOS的柵極與所述第二反相放大器的輸出端電連接；

電阻串，所述電阻串的一端與所述第二反相放大器的輸出端電連接，所述電阻串的另一端與所述第二PMOS的漏極和所述第三NMOS的漏極電連接。