[發明專利]碳化硅半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110270261.5
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113497118A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 野口智明
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于，具有：

第1導電型的碳化硅層，其具有存在晶體缺陷的缺陷區域；

第2導電型的多個阱區域，它們形成于所述碳化硅層；

第1導電型的源極區域，其形成于所述阱區域；

柵極氧化膜，其形成于所述碳化硅層、所述阱區域以及所述源極區域之上；

柵極電極，其形成于所述柵極氧化膜之上；以及

源極電極，其與所述阱區域以及所述源極區域連接，

在所述缺陷區域未形成所述源極區域。

2.一種碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

對第1導電型的碳化硅層的晶體缺陷進行檢查，確定存在所述晶體缺陷的缺陷區域的位置；

在所述碳化硅層形成第2導電型的多個阱區域；

在所述阱區域形成第1導電型的源極區域；

在所述碳化硅層、所述阱區域以及所述源極區域之上形成柵極氧化膜；

在所述柵極氧化膜之上形成柵極電極；以及

形成與所述阱區域以及所述源極區域連接的源極電極，

在所述缺陷區域未形成所述源極區域。

3.根據權利要求2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅層之上涂敷負抗蝕層；

對位于預定形成所述源極區域的區域以外的所述負抗蝕層進行曝光；

對位于所述缺陷區域的所述負抗蝕層局部地進行激光曝光；

對曝光以及激光曝光后的所述負抗蝕層進行顯影；以及

將顯影后的所述負抗蝕層作為掩模，向所述阱區域注入雜質而形成所述源極區域。

4.根據權利要求2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅層之上涂敷第1正抗蝕層；

在所述缺陷區域，在所述第1正抗蝕層之上形成第2正抗蝕層；

對位于預定形成所述源極區域的區域處的所述第1以及第2正抗蝕層進行曝光以及顯影；以及

將顯影后的所述第1以及第2正抗蝕層作為掩模，向所述阱區域注入雜質而形成所述源極區域，

顯影后的所述第1正抗蝕層殘留于所述缺陷區域。

5.根據權利要求2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅層之上涂敷抗蝕層；以及

將曝光以及顯影后的所述抗蝕層作為掩模，向所述阱區域注入雜質而形成所述源極區域，

以顯影后的所述抗蝕層殘留于所述缺陷區域的方式，通過無掩模曝光機而對所述抗蝕層進行曝光。

6.根據權利要求2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述缺陷區域之上形成絕緣膜；

在所述碳化硅層之上，形成預定形成所述源極區域的區域被開設了開口的抗蝕圖案；以及

將所述抗蝕圖案和所述絕緣膜作為掩模，向所述阱區域注入雜質而形成所述源極區域。

7.根據權利要求2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

分別在所述多個阱區域形成所述源極區域；以及

通過向所述缺陷區域注入第2導電型的雜質，從而消除存在于所述缺陷區域的所述源極區域。