[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110270222.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113707619A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金喆禹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/13 | 分類號(hào)： | H01L23/13;H01L23/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
封裝基板；
在所述封裝基板上的半導(dǎo)體芯片；以及
在所述封裝基板和所述半導(dǎo)體芯片之間的多個(gè)底部填充物，
其中所述封裝基板包括：
形成在所述封裝基板中的溝槽；以及
分別在所述溝槽的兩側(cè)的多個(gè)壩，以及
其中在所述半導(dǎo)體封裝的其中所述封裝基板提供基礎(chǔ)參考水平的剖視圖中，所述多個(gè)壩的頂表面位于比所述半導(dǎo)體芯片的底表面低的水平處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個(gè)壩和所述溝槽中的每個(gè)具有條形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中，在所述半導(dǎo)體封裝的俯視圖中，所述多個(gè)壩的各個(gè)長(zhǎng)度均小于所述封裝基板的芯片區(qū)域的寬度，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中，在所述半導(dǎo)體封裝的俯視圖中，所述溝槽的長(zhǎng)度大于所述封裝基板的芯片區(qū)域的寬度，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述溝槽具有十字形狀，以及
其中所述多個(gè)壩中的每個(gè)具有肘形形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中，在所述半導(dǎo)體封裝的俯視圖中，所述多個(gè)壩位于所述封裝基板的芯片區(qū)域內(nèi)，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中，在所述半導(dǎo)體封裝的俯視圖中，所述溝槽延伸到所述封裝基板的芯片區(qū)域的外部，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝基板進(jìn)一步包括：
在所述封裝基板的芯片區(qū)域的邊緣處的邊緣溝槽，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝基板進(jìn)一步包括：
在所述邊緣溝槽的兩側(cè)的邊緣壩。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述溝槽具有20μm或更大的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括：
在所述封裝基板上和所述半導(dǎo)體芯片上的散熱塊；以及
設(shè)置在所述散熱塊和所述半導(dǎo)體芯片之間的熱界面材料。
12.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
封裝基板；
在所述封裝基板上的半導(dǎo)體芯片；以及
在所述封裝基板和所述半導(dǎo)體芯片之間的多個(gè)底部填充物，
其中所述封裝基板在其上包括壩，以及
其中在所述半導(dǎo)體封裝的其中所述封裝基板提供基礎(chǔ)參考水平的剖視圖中，所述壩的頂表面位于比所述半導(dǎo)體芯片的底表面低的水平處。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述壩包括一對(duì)壩單元，所述一對(duì)壩單元彼此平行地定位同時(shí)彼此間隔開且在其間具有間隔，以及
其中所述一對(duì)壩單元中的每個(gè)具有條形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述壩包括四個(gè)壩單元，以及
其中每個(gè)所述壩單元具有肘形形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝基板進(jìn)一步包括：
在所述封裝基板的芯片區(qū)域的邊緣處的邊緣溝槽，所述半導(dǎo)體芯片在所述芯片區(qū)域上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝基板進(jìn)一步包括：
分別在所述邊緣溝槽的兩側(cè)的邊緣壩。
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