[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板以及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110270188.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113066934B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10K50/15
• 分類(lèi)號(hào): H10K50/15;G06F1/16;G06F3/041;H04M1/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本發(fā)明提供了一種顯示面板以及移動(dòng)終端，顯示面板包括基板，以及依次層疊設(shè)置于基板上的第一電極、至少一摻雜型空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及第二電極，其中，摻雜型空穴傳輸層包括第一氧化摻雜層以及空穴傳輸層，第一氧化摻雜層包括多個(gè)第一子摻雜區(qū)，且每個(gè)第一子摻雜區(qū)互不接觸，由于第一氧化摻雜層的第一子摻雜區(qū)互不接觸，會(huì)使得每個(gè)第一子摻雜區(qū)會(huì)因?yàn)槲`空穴傳輸層的電子而形成電子中心，進(jìn)而，空穴傳輸層的空穴會(huì)被吸引至電子中心，而使得空穴傳輸層的能帶向上翹，抬高了空穴傳輸層的最高占據(jù)軌道能級(jí)，減小了空穴傳輸層與第一電極的勢(shì)壘，從而提高了第一電極載流子的注入效率，進(jìn)而提高了顯示面板的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板以及移動(dòng)終端。

背景技術(shù)

近年來(lái)，OLED（Organic?Light?EmittingDiode，有機(jī)發(fā)光二極管）顯示技術(shù)得益于材料和器件的迅猛發(fā)展而突飛猛進(jìn)，且日趨成熟，受到了越來(lái)越多科研工作者的關(guān)注，并被應(yīng)用于手機(jī)、平板、電視等顯示領(lǐng)域。

通常，OLED顯示器件的核心為顯示面板，且顯示面板由下到上包括背板、PI柔性基底、TFT集成晶體管、OLED發(fā)光層、TFE封裝層、DOT觸控層、偏貼片以及蓋板玻璃等。其中，OLED發(fā)光層主要借助載流子的注入、傳輸、復(fù)合從而輻射產(chǎn)生不同顏色的光譜，是整個(gè)顯示面板的關(guān)鍵所在。OLED發(fā)光層的結(jié)構(gòu)自下而上為：陽(yáng)極（ITO）/空穴注入層/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極等。在器件制備過(guò)程中，為降低電極與P型或N型載流子傳輸層之間的勢(shì)壘，通常借助摻雜的方法，以期界面產(chǎn)生能帶彎曲(band-bending)，形成近似歐姆界面。

在現(xiàn)有的工藝制備流程中，P-Dopant（P型摻雜物）和HTL（Hole?Transport?Layer，空穴傳輸層）通常采用混蒸的方式而形成均勻摻雜的薄膜。但是，通過(guò)這種制備方法而得的顯示面板，會(huì)使其陽(yáng)極與空穴傳輸層的勢(shì)壘較大，從而導(dǎo)致P型載流子從陽(yáng)極注入至空穴傳輸層的效率不高，進(jìn)而影響顯示面板的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種顯示面板以及移動(dòng)終端，有效地解決了顯示面板因其陽(yáng)極與空穴傳輸層的勢(shì)壘較大，而導(dǎo)致P型載流子從陽(yáng)極注入至空穴傳輸層的效率不高，影響顯示面板的發(fā)光效率的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板；以及，

依次層疊設(shè)置于所述基板上的第一電極、至少一摻雜型空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及第二電極；

其中，所述摻雜型空穴傳輸層包括第一氧化摻雜層以及空穴傳輸層，所述第一氧化摻雜層包括多個(gè)第一子摻雜區(qū)，且每個(gè)所述第一子摻雜區(qū)互不接觸。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的摻雜濃度相等，且所述摻雜濃度為1%-5%之間的任一數(shù)值。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的面積相等，及/或所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的面積不相等。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一氧化摻雜層設(shè)置于所述空穴傳輸層的上方，及/或設(shè)置于所述空穴傳輸層的下方，及/或設(shè)置于所述空穴傳輸層的內(nèi)部。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一氧化摻雜層具有第一最低空軌道能級(jí)，所述空穴傳輸層具有第一最高占據(jù)軌道能級(jí)，所述第一最低空軌道能級(jí)與所述第一最高占據(jù)軌道能級(jí)的差值為0.2eV-0.5eV之間的任一數(shù)值。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述顯示面板還包括至少一空穴注入層，所述空穴注入層設(shè)置于所述第一電極與所述摻雜型空穴傳輸層之間。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述空穴注入層包括第二氧化摻雜層，所述第二氧化摻雜層包括多個(gè)第二子摻雜區(qū)，其中，每個(gè)所述第二子摻雜區(qū)互不接觸。