[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板以及移動(dòng)終端有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110270188.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113066934B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂磊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H10K50/15 | 分類(lèi)號(hào): | H10K50/15;G06F1/16;G06F3/041;H04M1/02 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 以及 移動(dòng) 終端 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板;以及,
依次層疊設(shè)置于所述基板上的第一電極、至少一空穴注入層、至少一摻雜型空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及第二電極;
其中,所述摻雜型空穴傳輸層包括第一氧化摻雜層以及空穴傳輸層,所述第一氧化摻雜層包括多個(gè)第一子摻雜區(qū),且每個(gè)所述第一子摻雜區(qū)互不接觸;
所述空穴注入層設(shè)置于所述第一電極與所述摻雜型空穴傳輸層之間,所述空穴注入層包括第二氧化摻雜層,所述第二氧化摻雜層包括多個(gè)第二子摻雜區(qū),其中,每個(gè)所述第二子摻雜區(qū)互不接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的摻雜濃度相等,且所述摻雜濃度為1%-5%之間的任一數(shù)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的面積相等,及/或所述多個(gè)第一子摻雜區(qū)的面積不相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一氧化摻雜層設(shè)置于所述空穴傳輸層的上方,及/或設(shè)置于所述空穴傳輸層的下方,及/或設(shè)置于所述空穴傳輸層的內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一氧化摻雜層具有第一最低空軌道能級(jí),所述空穴傳輸層具有第一最高占據(jù)軌道能級(jí),所述第一最低空軌道能級(jí)與所述第一最高占據(jù)軌道能級(jí)的差值為0.2eV-0.5eV之間的任一數(shù)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二氧化摻雜層設(shè)置于所述空穴注入層的頂部,及/或設(shè)置于所述空穴注入層的底部,及/或設(shè)置于所述空穴注入層的中部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括電子注入層,所述電子注入層設(shè)置于所述電子傳輸層以及所述第二電極之間。
8.一種移動(dòng)終端,其特征在于,所述移動(dòng)終端包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的顯示面板。
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