[發明專利]一種PVDF壓電薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 202110270126.0 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN112885956A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 管建國;楊少華;周長陽;胡志軍;管濤 | 申請(專利權)人: | 三三智能科技(日照)有限公司 |
| 主分類號: | H01L41/047 | 分類號: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/193;H01L41/29;H01L41/333 |
| 代理公司: | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人: | 卜令濤 |
| 地址: | 276800 山東省日照市高*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pvdf 壓電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種PVDF壓電薄膜,其特征在于:包括PVDF壓電薄膜層(1),壓電薄膜層的上表面具有凸出的壓力感應微結構陣列(101),下表面具有凹型溝槽結構(102);凹形溝槽結構(102)內填充導電材料(3),導電材料(3)通過導線(201)與控制模塊(2)連接。
2.根據權利要求1所述的PVDF壓電薄膜,其特征在于:凸出的壓力感應微結構(101)的形狀為棱錐、圓錐、圓臺、半球體、圓柱、棱柱中的任何一種或兩種及以上的組合。
3.根據權利要求2所述的PVDF壓電薄膜,其特征在于:凸出的壓力感應微結構(101)在PVDF壓電薄膜上表面的排布方式為矩形、三角形、六邊形、八邊形、平行四邊形中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的PVDF壓電薄膜,其特征在于:凹型溝槽結構(102)填充的導電材料是納米銀顆粒、納米銀線、納米金顆粒、納米金線、納米銅線、納米銅顆粒、PH1000、石墨烯、碳納米管中的任意一種或兩種及以上的組合。
5.根據權利要求4所述的PVDF壓電薄膜,其特征在于:凹型溝槽結構(102)的截面形狀為矩形、V形、梯形、半圓形、五邊形、六邊形中的任意一種。
6.根據權利要求5所述的PVDF壓電薄膜,其特征在于:凹型溝槽結構(102)槽口寬度尺寸為500nm~50μm,凹槽深度與槽口寬度比為0.1~10。
7.根據權利要求1所述PVDF壓電薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一:根據產品需要,確定PVDF壓電薄膜層上表面壓力感應微結構和下表面凹型溝槽結構的形狀、分布及尺寸,并在雙面卷對卷熱壓機的道具輥和壓力輥上進行相應設置;
步驟二:使用雙面卷對卷熱壓機將PVDF壓電薄膜(1)進行壓印,形成上表面的壓力感應微結構陣列(101)和下表面的凹型溝槽結構(102),壓印完成后,將PVDF壓電薄膜(1)從模具中剝離;
步驟三:使用刮涂設備或旋涂設備在下表面的凹型溝槽結構(102)中填入導電材料(3),并加熱固化;
步驟四:將經過固化后的導電材料通過導線(201)與控制模塊連接。
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