[發(fā)明專利]一種納米網(wǎng)的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110270117.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN113173553A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張青竹;田佳佳;李俊杰;吳次南;張兆浩;殷華湘;劉戰(zhàn)峰;毛淑娟;張靜;王文武;屠海令
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種垂直納米網(wǎng)的制備方法，其特征在于：

提供襯底；

依次生長(zhǎng)第一犧牲層、第二犧牲層，使得第二犧牲層形成多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案；

形成第一掩膜層；

刻蝕所述多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案上表面的第一掩膜層，使得所述多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案兩側(cè)的第一掩膜層形成第一側(cè)墻；

刻蝕掉第二犧牲層形成多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案；

依次生長(zhǎng)第三犧牲層、第四犧牲層，使得第四犧牲層形成多個(gè)第二長(zhǎng)條圖案，所述第二長(zhǎng)條圖案與所示第一長(zhǎng)條圖案垂直；

形成第二掩膜層；

刻蝕所述多個(gè)第二長(zhǎng)條圖案上表面的第二掩膜層，使得所述多個(gè)第二長(zhǎng)條圖案兩側(cè)的第二掩膜層形成第二側(cè)墻；

刻蝕掉第四犧牲層形成的多個(gè)第二長(zhǎng)條圖案；

以第一側(cè)墻和第二側(cè)墻形成的納米網(wǎng)為掩膜；刻蝕第一犧牲層和襯底，形成納米網(wǎng)陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述襯底為硅(Si)襯底、絕緣體上硅(SOI)、SiGe外延襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二犧牲層、第四犧牲層分別包括刻蝕阻擋層和核心層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：先在核心層上形成多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案的頂模，再在刻蝕阻擋層形成多個(gè)第一長(zhǎng)條圖案的芯模。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：刻蝕阻擋層和核心層分別為非晶硅(a-si)層、氮化硅(Si₃N₄)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：納米網(wǎng)寬度為180A/±10A，長(zhǎng)度60-80nm，高度1000A/±30A，垂直度60°-90°，納米網(wǎng)之間的間距間距10-500μm。。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：第一、二掩膜層為氮化硅(Si₃N₄)層。