[發(fā)明專利]芯片上方疊層封裝的去除方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110269108.0
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113008643A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設計）人: 李延昭;原巖峰
• 申請（專利權）人: 蘇試宜特（深圳）檢測技術有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/34;G01N1/44
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 宋小光

本發(fā)明涉及一種芯片上方疊層封裝的去除方法，包括：提供底板，將樣品粘附于底板；研磨樣品遠離底板的一側(cè)，當待分析的芯片的輪廓露出時，停止研磨；清洗樣品，并烘干樣品，從而去除芯片上方的疊層封裝以供分析。本發(fā)明有效地解決了疊層封裝的芯片難以分離的問題，通過將樣品黏貼于底板，以防止樣品在研磨的過程中發(fā)生翹曲，使得樣品均勻受力，防止芯片開裂，減小后期對芯片驗證和分析的影響。

技術領域

本發(fā)明涉及芯片封裝領域，特指一種芯片上方疊層封裝的去除方法。

背景技術

隨著芯片集成化越來越高，微電子封裝朝更輕、更薄、更小的方式發(fā)展，其中芯片疊層封裝(stacked die package)是最常見的一種封裝，芯片疊層封裝是將多個芯片垂直向上疊加起來，然后進行封裝，由于這種結構特殊性，芯片之間間距較小，芯片的厚度比其他封裝芯片的厚度有所降低，在驗證或分析此類芯片時，容易使得芯片翹曲，從而對分析和驗證結果造成影響，常規(guī)分離芯片的方式容易導致芯片開裂，對芯片分析造成影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種芯片上方疊層封裝的去除方法，解決了疊層封裝的芯片難以分離的問題，通過將樣品黏貼于底板，以防止樣品在研磨的過程中發(fā)生翹曲，使得樣品均勻受力，防止芯片開裂，減小后期對芯片驗證和分析的影響。

實現(xiàn)上述目的的技術方案是：

本發(fā)明提供了一種芯片上方疊層封裝的去除方法，包括如下步驟：

提供底板，將樣品粘附于底板；

研磨樣品遠離底板的一側(cè)，當待分析的芯片的輪廓露出時，停止研磨；

清洗樣品，并烘干樣品，從而去除芯片上方的疊層封裝以供分析。

本發(fā)明采用芯片上方疊層封裝的去除方法，通過將樣品粘附于底板，以防止樣品在研磨時翹曲，并使得樣品受力均勻，防止樣品開裂，有效地解決了疊層封裝的芯片難以分離的問題，通過將樣品黏貼于底板，以防止樣品在研磨的過程中發(fā)生翹曲，使得樣品均勻受力，防止芯片開裂，減小后期對芯片驗證和分析的影響。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，研磨樣品時，還包括：

用粗砂紙研磨樣品，當研磨至靠近芯片的位置時，在樣品的表面涂抹融化的熱熔膠，以防止過度研磨，并更換細砂紙對樣品繼續(xù)研磨。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，該粗砂紙為P320砂紙，細砂紙為P2500砂紙。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，沖洗樣品前，還包括：

在樣品的表面滴腐蝕液并加熱，進而用丙酮沖洗樣品，以除去樣品上殘余的熱熔膠。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，該腐蝕液為混酸。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，滴腐蝕液后加熱樣品至150℃，并加熱10s。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，清洗樣品時，還包括：

將樣品放入盛有無水乙二胺的燒杯中，并將裝有樣品的燒杯放入超聲清洗器中清洗；

將樣品取出并放入盛有清水的燒杯中，并將裝有樣品的燒杯放入超聲清洗器中清洗；

取出樣品，用丙酮沖洗樣品。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，利用超聲清洗器清洗的時間為2～5s。

本發(fā)明芯片上方疊層封裝的去除方法的進一步改進在于，粘貼樣品時，還包括：