[發明專利]一種EML芯片及光模塊

在審

• 申請號: 202110267875.8
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN115085005A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 章力明;吳名忠
• 申請（專利權）人: 青島海信寬帶多媒體技術有限公司
• 主分類號: H01S5/125
• 分類號: H01S5/125;H01S5/34;H01S5/042;H04B10/25;H04B10/40
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

本申請提供的EML芯片及光模塊，EML芯片用于光模塊；EML芯片包括：襯底；EAM?MQW層，設置在襯底的上方；DFB?MQW層，設置在EAM?MQW層的上方；光柵層，設置在DFB?MQW層的上方；InP包層，沉積設置在光柵層的上方；電極層，刻蝕設置在InP包層的上表面，電極層包括DFB正電極、EAM正電極和EML負電極，DFB正電極和EAM正電極之間設置電隔離區，DFB正電極位于DFB?MQW層的上方。通過EAM?MQW層上方設置DFB?MQW層實現DFB?MQW和EAM?MQW的堆疊，減少EML芯片制作復雜性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和穩定性，便于保證EML芯片的一致性。

技術領域

本申請涉及光通信技術領域，尤其涉及一種EML芯片及光模塊。

背景技術

在云計算、移動互聯網、視頻等新型業務和應用模式，均會用到光通信技術。而在光通信中，光模塊是實現光電信號相互轉換的工具，是光通信設備中的關鍵器件之一，光模塊向外部光纖中輸入的光信號強度直接影響光纖通信的質量。并且隨著5G網絡的快速發展，處于光通信核心位置的光模塊得到了長足的發展，產生了形式多樣的光模塊。

其中，對于光模塊的信號發射，可以采用VCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser，垂直共振腔表面放射激光)、EML(Electlro-absorption ModulatedLaser，電吸收調制半導體激光器)等類型的信號發射方式。對于采用EML的信號發射方式的光模塊，其帶寬大于50GHz、調制速率達到80Gb/s-100Gb/s，在光通信發展中有著非常廣闊的發展前景。

發明內容

本申請實施例提供了一種EML芯片及光模塊，提高EML晶元的良率和穩定性，便于保證EML芯片的一致性。

第一方面，本申請提供了一種EML芯片，用于光模塊，包括：

襯底；

EAM-MQW層，設置在所述襯底的上方；

DFB-MQW層，設置在所述EAM-MQW層的上方；

光柵層，設置在所述DFB-MQW層的上方；

InP包層，沉積設置在所述光柵層的上方；

電極層，刻蝕設置在所述InP包層的上表面，所述電極層包括DFB正電極、EAM正電極和EML負電極，所述DFB正電極和所述EAM正電極之間設置電隔離區，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方。

第二方面，本申請提供了一種光模塊，包括：

電路板；

光發射部件，與所述電路板電連接，用于產生并輸出信號光，包括EML芯片；

其中，所述EML芯片包括：

襯底；

EAM-MQW層，設置在所述襯底的上方；

DFB-MQW層，設置在所述EAM-MQW層的上方；

光柵層，設置在所述DFB-MQW層的上方；

InP包層，沉積設置在所述光柵層的上方；

電極層，刻蝕設置在所述InP包層的上表面，所述電極層包括DFB正電極、EAM正電極和EML負電極，所述DFB正電極和所述EAM正電極之間設置電隔離區，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方。