[發(fā)明專利]一種EML芯片及光模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110267875.8 | 申請日： | 2021-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN115085005A | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 章力明;吳名忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/125 | 分類號： | H01S5/125;H01S5/34;H01S5/042;H04B10/25;H04B10/40 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長明;許偉群 |
| 地址： | 266555 山東省青*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 eml 芯片 模塊 | ||
1.一種EML芯片，其特征在于，用于光模塊，包括：
襯底；
EAM-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方；
DFB-MQW層，設(shè)置在所述EAM-MQW層的上方；
光柵層，設(shè)置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，沉積設(shè)置在所述光柵層的上方；
電極層，刻蝕設(shè)置在所述InP包層的上表面，所述電極層包括DFB正電極、EAM正電極和EML負(fù)電極，所述DFB正電極和所述EAM正電極之間設(shè)置電隔離區(qū)，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述EML芯片的左端面設(shè)置高反射鍍膜層，所述EML芯片的右端面設(shè)置增透膜層；所述EAM-MQW層的首端和所述DFB-MQW層的首端對齊至所述高反射鍍膜層，所述EAM-MQW層的末端對齊至所述增透膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述光柵層的末端與所述DFB-MQW層的末端對齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的EML芯片，其特征在于，所述光柵層的長度與所述DFB-MQW層長度比為0.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EML芯片，其特征在于，所述高反射鍍膜層沿背離所述DFB-MQW層的方向依次設(shè)置第一SiO2層和第二TiO2層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EML芯片，其特征在于，所述增透膜層沿背離所述EAM-MQW層的方向依次設(shè)置第一SiO2層、第二TiO2層、第三SiO2層、第四TiO2層、第五SiO2層和第六TiO2層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述電隔離區(qū)的寬度為20um-50um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述襯底為InP襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述電隔離區(qū)采用刻蝕接觸層或離子注入的方式形成。
10.一種光模塊，其特征在于，包括：
電路板；
光發(fā)射部件，與所述電路板電連接，用于產(chǎn)生并輸出信號光，包括EML芯片；
其中，所述EML芯片包括：
襯底；
EAM-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方；
DFB-MQW層，設(shè)置在所述EAM-MQW層的上方；
光柵層，設(shè)置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，沉積設(shè)置在所述光柵層的上方；
電極層，刻蝕設(shè)置在所述InP包層的上表面，所述電極層包括DFB正電極、EAM正電極和EML負(fù)電極，所述DFB正電極和所述EAM正電極之間設(shè)置電隔離區(qū)，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方。
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