[發(fā)明專利]基板載置臺及基板處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110266661.9
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113451198A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 津田榮之輔;鳥屋大輔;米倉總史;武田聰;福留譽司;池田恭子
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;C23C16/54
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發(fā)明提供恰當(dāng)?shù)乜刂朴糜谳d置基板的載置面的溫度的基板載置臺及基板處理裝置。該基板載置臺具有：載置臺主體，在該載置臺主體的內(nèi)部具有被冷卻面；以及供給流路形成構(gòu)件，該供給流路形成構(gòu)件由導(dǎo)熱性較所述載置臺主體低的材料形成，且具有朝向所述被冷卻面噴射制冷劑的冷卻噴嘴。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及基板載置臺及基板處理裝置。

背景技術(shù)

已知有對載置于基板載置臺的晶圓等基板實施所期望的處理(成膜、蝕刻等)的基板處理裝置。另外，已知有控制被載置的基板的溫度的基板載置臺。

在專利文獻(xiàn)1中公開了一種靜電卡盤組件，其具有：靜電卡盤；冷卻板，其與所述靜電卡盤相接觸地配設(shè)，并且具有形成于其中的氣體通道；以及氣體箱，其與所述冷卻板的所述氣體通道的第1端部及第2端部相結(jié)合，能夠以控制在所述氣體通道流通的冷卻氣體的流量的方式工作。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特表2018-501653號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在基板處理裝置中，對載置于基板載置臺的基板實施所期望的處理時，要求恰當(dāng)?shù)乜刂苹宓臏囟取?/p>

本公開的一技術(shù)方案提供恰當(dāng)?shù)乜刂戚d置基板的載置面的溫度的基板載置臺及基板處理裝置。

用于解決問題的方案

本公開的一技術(shù)方案所涉及的基板載置臺具有：載置臺主體，在其內(nèi)部具有被冷卻面；以及供給流路形成構(gòu)件，其由導(dǎo)熱性較所述載置臺主體低的材料形成，且具有朝向所述被冷卻面噴射制冷劑的冷卻噴嘴。

發(fā)明的效果

根據(jù)本公開的一技術(shù)方案，能夠提供恰當(dāng)?shù)乜刂戚d置基板的載置面的溫度的基板載置臺及基板處理裝置。

附圖說明

圖1是一實施方式所涉及的基板處理裝置的剖面示意圖的一個例子。

圖2是基板載置臺的局部放大剖面示意圖的一個例子。

圖3是供給流路形成構(gòu)件的俯視圖的一個例子。

圖4是利用基板載置臺進(jìn)行溫度控制的一個例子。

圖5是供給流路形成構(gòu)件的俯視圖的另一個例子。

具體實施方式

以下，參照附圖對用于實施本公開的方式進(jìn)行說明。在各附圖中，對于相同的結(jié)構(gòu)部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，存在省略重復(fù)說明的情況。

＜基板處理裝置1＞

使用圖1說明一實施方式所涉及的基板處理裝置1。圖1是一實施方式所涉及的基板處理裝置1的剖面示意圖的一個例子。

基板處理裝置1具有真空容器2、氣體供給部3以及基板載置臺4。基板處理裝置1例如是熱CVD(Chemical Vapor Deposition：化學(xué)氣相沉積)裝置，且是自氣體供給部3向真空容器2內(nèi)供給處理氣體進(jìn)而對在真空容器2內(nèi)的基板載置臺4載置的晶圓等基板W實施所期望的處理(例如成膜處理)的裝置。

真空容器2具有真空端口(未圖示)以及送入送出端口(未圖示)。真空端口與排氣裝置(未圖示)連接，以真空容器2內(nèi)成為真空氣氛的方式進(jìn)行減壓。送入送出端口構(gòu)成為能夠開閉，構(gòu)成為能夠經(jīng)由送入送出端口將基板W向真空容器2內(nèi)送入以及從真空容器2內(nèi)送出。