[發明專利]基板載置臺及基板處理裝置在審
| 申請號: | 202110266661.9 | 申請日: | 2021-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN113451198A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 津田榮之輔;鳥屋大輔;米倉總史;武田聰;福留譽司;池田恭子 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板載置臺 處理 裝置 | ||
1.一種基板載置臺,其中,
該基板載置臺具有:
載置臺主體,在其內部具有被冷卻面;以及
供給流路形成構件,其由導熱性較所述載置臺主體低的材料形成,且具有朝向所述被冷卻面噴射制冷劑的冷卻噴嘴。
2.根據權利要求1所述的基板載置臺,其中,
所述供給流路形成構件具有沿所述載置臺主體的徑向延伸的第1流路形成構件,
所述載置臺主體具有供所述第1流路形成構件配置的第1槽部,
所述第1流路形成構件的剖面形狀和所述第1槽部的剖面形狀不同。
3.根據權利要求2所述的基板載置臺,其中,
所述供給流路形成構件還具有與所述第1流路形成構件連接并沿所述載置臺主體的周向延伸的第2流路形成構件,
所述冷卻噴嘴形成于所述第2流路形成構件。
4.根據權利要求3所述的基板載置臺,其中,
所述供給流路形成構件具有:
分支部;
多個所述第1流路形成構件,其與所述分支部連接;以及
多個所述第2流路形成構件,其分別與多個所述第1流路形成構件連接,
多個所述第2流路形成構件配置為,一個所述第2流路形成構件的流入側與另一個所述第2流路形成構件的終端側相鄰。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的基板載置臺,其中,
所述制冷劑是空氣制冷劑。
6.一種基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置具有權利要求1~5中任一項所述的基板載置臺。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





