[發(fā)明專利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110265084.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113406855A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田邊勝;淺川敬司;安森順一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/26
• 分類號(hào): G03F1/26;G03F1/80
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王利波

本發(fā)明的課題在于，提供一種在對(duì)相移膜進(jìn)行濕法蝕刻時(shí)可以縮短過(guò)刻蝕時(shí)間、抑制基板的損傷、可以形成具有良好的截面形狀、LER、且耐化學(xué)品性也良好的轉(zhuǎn)印圖案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通過(guò)對(duì)相移膜進(jìn)行濕法蝕刻而得到的相移膜圖案，相移膜由單層或多層構(gòu)成，并且相對(duì)于整體膜厚的50％以上且100％以下包含由含有鉬、鋯、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料層，MoZrSi系材料層中的鉬與鋯的原子比率為Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相對(duì)于鉬、鋯及硅的合計(jì)的含有比率為70～88原子％。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，對(duì)于以LCD(液晶顯示器，Liquid Crystal Display)為代表的FPD(平板顯示器，F(xiàn)lat Panel Display)等顯示裝置而言，不僅正在快速進(jìn)行大畫面化、寬視角化，而且正在快速進(jìn)行高精細(xì)化、高速顯示化。為了該高精細(xì)化、高速顯示化，需要的要素之一是制作微細(xì)且尺寸精度高的元件、布線等電子電路圖案。該顯示裝置用電子電路的圖案化大多使用光刻法。因此，需要形成有微細(xì)且高精度圖案的顯示裝置制造用的相移掩模、二元掩模這樣的光掩模。

例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了在透明基板上具備相位反轉(zhuǎn)膜的相位反轉(zhuǎn)掩模坯料。在該掩模坯料中，相位反轉(zhuǎn)膜由包含氧(O)、氮(N)、碳(C)中的至少1種輕元素物質(zhì)的金屬硅化物化合物所形成的2層以上的多層膜構(gòu)成，并使得其對(duì)包含i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)的復(fù)合波長(zhǎng)的曝光光具有35％以下的反射率及1％～40％的透射率，并且在形成圖案時(shí)急劇地形成圖案截面的梯度，金屬硅化物化合物是以包含上述輕元素物質(zhì)的反應(yīng)性氣體與非活性氣體為0.5:9.5～4:6的比率注入而形成的。

作為上述金屬硅化物化合物，記載了以下的材料，其在鋁(Al)、鈷(Co)、鎢(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、白金(Pt)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎘(Cd)、鋯(Zr)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、釔(Y)、硫(S)、銦(In)、錫(Sn)、硼(B)、鈹(Be)、鈉(Na)、鉭(Ta)、鉿(Hf)、鈮(Nb)中的至少任一種以上金屬物質(zhì)中含有硅(Si)而成，或者由在上述金屬硅化物中進(jìn)一步含有氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)、氫(H)中的一種以上輕元素物質(zhì)的化合物而形成。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：韓國(guó)授權(quán)專利第1801101號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利第3988041號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

作為近年在高精細(xì)(1000ppi以上)的面板制作中使用的相移掩模，為了能夠轉(zhuǎn)印高分辨率的圖案，要求形成有孔徑為6μm以下、線寬為4μm以下的微細(xì)相移膜圖案的相移掩模。具體而言，要求形成有孔徑為1.5μm的微細(xì)相移膜圖案的相移掩模。

另外，為了實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案轉(zhuǎn)印，要求具有對(duì)曝光光的透射率為15％以上的相移膜的相移掩模坯料、以及形成有對(duì)曝光光的透射率為15％以上的相移膜圖案的相移掩模。

為了滿足對(duì)曝光光的透射率的要求，提高構(gòu)成相移膜的金屬硅化物化合物(金屬硅化物系材料)中金屬與硅的原子比率中的硅的比率是有效的，但存在濕法蝕刻速度大幅延遲(濕法蝕刻時(shí)間長(zhǎng))、發(fā)生濕法蝕刻液對(duì)基板的損傷、透明基板的透射率降低等問(wèn)題。