[發明專利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110265084.1
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113406855A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 田邊勝;淺川敬司;安森順一
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/80
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種光掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜，

所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，該光掩模是在所述透明基板上具有相移膜圖案的光掩模，所述相移膜圖案是通過對所述相移膜進行濕法蝕刻而得到的，

所述相移膜由單層或多層構成，并且包含相對于該相移膜的整體膜厚的50％以上且100％以下的由含有鉬(Mo)、鋯(Zr)、硅(Si)及氮的材料形成的MoZrSi系材料層，

所述MoZrSi系材料層中的鉬與鋯的原子比率為Mo：Zr＝1.5:1～1:4，并且硅相對于鉬、鋯及硅的合計的含有比率為70～88原子％。

2.根據權利要求1所述的光掩模坯料，其中，

所述相移膜具備以下光學特性：對于曝光光的代表波長的透射率為20％以上且80％以下、相位差為160°以上且200°以下。

3.根據權利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

所述相移膜是包含所述透明基板側的下層和層疊于所述下層上的上層的層疊膜，所述下層為所述MoZrSi系材料層。

4.根據權利要求3所述的光掩模坯料，其中，

所述上層由在曝光光的代表波長下的折射率小于所述下層、且消光系數高于所述下層的材料形成。

5.根據權利要求4所述的光掩模坯料，其中，

以使所述相移膜對于曝光光的代表波長的背面反射率成為15％以下的方式而設定了所述上層和所述下層各自的折射率、消光系數、及膜厚。

6.根據權利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

在所述相移膜上具備對該相移膜的蝕刻選擇性不同的蝕刻掩模膜。

7.一種光掩模的制造方法，該方法包括：

準備權利要求1～5中任一項所述的光掩模坯料的工序；以及

在所述相移膜上形成抗蝕膜，以由所述抗蝕膜形成的抗蝕膜圖案作為掩模，對所述相移膜進行濕法蝕刻，在所述透明基板上形成相移膜圖案的工序。

8.一種光掩模的制造方法，該方法包括：

準備權利要求6所述的光掩模坯料的工序；

在所述蝕刻掩模膜上形成抗蝕膜，以由所述抗蝕膜形成的抗蝕膜圖案作為掩模，對所述蝕刻掩模膜進行濕法蝕刻，在所述相移膜上形成蝕刻掩模膜圖案的工序；以及

以所述蝕刻掩模膜圖案作為掩模，對所述相移膜進行濕法蝕刻，在所述透明基板上形成相移膜圖案的工序。

9.一種顯示裝置的制造方法，該方法包括：

將通過權利要求7或8所述的光掩模的制造方法得到的光掩模放置于曝光裝置的掩模臺，將形成于所述光掩模上的包含所述相移膜圖案的轉印圖案曝光轉印至形成于顯示裝置基板上的抗蝕劑的曝光工序。