[發(fā)明專利]RF電路模塊及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110264331.6
• 申請(qǐng)日: 2021-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN113395079B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 青池將之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H04B1/40
• 分類號(hào): H04B1/40;H05K7/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

本發(fā)明提供RF電路模塊及其制造方法。構(gòu)成能夠提高散熱性且能夠小型化的RF電路模塊。另外，構(gòu)成抑制基于線材的電路的電特性的惡化且高頻性能優(yōu)異的RF電路模塊。RF電路模塊(113A)具備：模塊基板(90)；第一基材(10)，構(gòu)成第一電路；以及第二基材(20)，構(gòu)成第二電路。第一電路包括控制第二電路的動(dòng)作的控制電路，第二電路包括放大RF信號(hào)的高頻放大電路。第二基材(20)安裝于第一基材(10)，第一基材(10)以電路形成面對(duì)置的方式配置于模塊基板(90)。第一基材(10)和第二基材(20)具有將第一電路和第二電路不經(jīng)由模塊基板(90)而電連接的電路間連接布線(32)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及RF電路模塊，特別是涉及對(duì)高頻電力進(jìn)行處理的電路所使用且具有發(fā)熱部的RF電路模塊及其制造方法。

背景技術(shù)

以往，在移動(dòng)體通信、衛(wèi)星通信等電子設(shè)備中，組裝有將高頻信號(hào)的發(fā)送接收功能一體化的RF前端模塊。通過(guò)將高頻放大器、控制高頻放大器的控制IC、開關(guān)IC、雙工器等搭載于模塊基板，并對(duì)整體進(jìn)行樹脂模制，來(lái)構(gòu)成RF前端模塊。

例如，上述高頻放大器是形成于GaAs基板的MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit：?jiǎn)纹⒉呻娐?，上述控制IC和開關(guān)IC是形成于Si基板的MMIC，單獨(dú)地搭載于模塊基板的表面。

另一方面，在專利文獻(xiàn)1中公開如下的構(gòu)造：為了將模塊基板縮小化，在高頻放大器層疊控制IC等，將高頻放大器和控制IC等與模塊基板上的電極線接合。

圖25的(A)是與專利文獻(xiàn)1所示的器件相同結(jié)構(gòu)的器件的俯視圖，圖25的(B)是其剖視圖。在該例中，在電路基板(LAMINATESUBSTRATE：層壓基板)搭載有異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的芯片(HBT DIE)，在該芯片上搭載有硅芯片(Si DIE)，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的芯片與電路基板之間、硅芯片與電路基板之間、硅芯片與異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的芯片之間分別線接合。

專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2015/0303971號(hào)說(shuō)明書

在將高頻放大器、控制IC、開關(guān)IC等單獨(dú)地搭載于模塊基板的表面的構(gòu)造中，針對(duì)模塊基板的這些部件的安裝面積較大，將部件間連接的布線較長(zhǎng)，信號(hào)損耗也較大。另外，高頻放大器例如構(gòu)成在GaAs基板上，因此高頻放大器自身的散熱性較低。

根據(jù)專利文獻(xiàn)1所公開的構(gòu)造，與占有面積比較大的將高頻放大器、控制IC等并列設(shè)置的情況進(jìn)行比較，能夠?qū)⒛K基板的尺寸縮小化。然而，需要用于線接合的空間，模塊基板的縮小效果較小，而且由于在線材產(chǎn)生的寄生電感等的影響，特別是在高頻區(qū)域中損耗變大，或者容易產(chǎn)生線路的阻抗不匹配。另外，從高頻放大器產(chǎn)生的熱的散熱效果較低。

另一方面，伴隨著高頻放大器的近年來(lái)的更高速、高輸出化的要求，其自身發(fā)熱引起的特性界限成為課題。例如，在雙極晶體管中，由于其集電極損耗而發(fā)熱，雙極晶體管自身升溫，從而基極-發(fā)射極間飽和電壓Vbe降低，由此集電極電流增大，Vbe進(jìn)一步降低，若施加上述那樣的正反饋，則會(huì)導(dǎo)致熱失控，因此在能夠控制的范圍中所能處理的電力被限制。

因此，在構(gòu)成RF電路模塊的狀態(tài)下，如果不能高效率地對(duì)高頻放大器的熱進(jìn)行散熱，則也不能實(shí)現(xiàn)RF電路模塊的小型化。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種不受散熱性制約且小型化的RF電路模塊、或者小型且散熱性較高的RF電路模塊、以及該RF電路模塊的制造方法。另外，本發(fā)明的目的在于提供一種抑制基于線材的電路的電特性的惡化且高頻性能優(yōu)異的RF電路模塊以及該RF電路模塊的制造方法。