[發明專利]RF電路模塊及其制造方法有效
| 申請號： | 202110264331.6 | 申請日： | 2021-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN113395079B | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發明（設計）人： | 青池將之 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H04B1/40 | 分類號： | H04B1/40;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艷君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rf 電路 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種RF電路模塊，具備：
模塊基板，具有部件搭載用的電極；
第一基材，構成第一電路；以及
第二基材，構成第二電路，
所述第一電路包括控制所述第二電路的動作的控制電路，
所述第二電路包括放大RF信號的高頻放大電路，
所述第二基材安裝于所述第一基材，
所述第一基材倒裝芯片接合于所述模塊基板，
所述第一基材和所述第二基材具有導體層，所述導體層構成將所述第一電路和所述第二電路不經由所述模塊基板而電連接的電路間連接布線，
所述第一基材具有與所述模塊基板的所述電極連接的第一基材側導體突起部，
所述第二基材具有與所述模塊基板的所述電極連接的第二基材側導體突起部。
2.根據權利要求1所述的RF電路模塊，其中，
所述第二基材側導體突起部設置于最靠近所述第二電路的附近。
3.根據權利要求1或2所述的RF電路模塊，其中，
在所述第一基材的與所述第二基材不重疊的位置的表面形成有第一基材側電極，
所述第一基材側導體突起部與所述第一基材側電極連接。
4.一種電路模塊，具備：
模塊基板，具有部件搭載用的電極；
第一基材，構成第一電路；以及
第二基材，構成第二電路，
所述第一電路包括控制所述第二電路的動作的控制電路，
所述第二電路包括放大RF信號的高頻放大電路，
所述第二基材安裝于所述第一基材，
所述第一基材和所述第二基材具有導體層，所述導體層構成將所述第一電路和所述第二電路不經由所述模塊基板而電連接的電路間連接布線，
在俯視所述模塊基板時，構成所述電路間連接布線的導體層的上表面位于所述第二電路的上表面以下的位置。
5.根據權利要求4所述的RF電路模塊，其中，
所述第一電路或者所述第二電路具有在所述高頻放大電路與所述高頻放大電路的輸入或者輸出之間使阻抗匹配的阻抗匹配電路或者阻抗匹配電路的一部分。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述第一基材為單體半導體的基材，
所述第二基材為化合物半導體的基材。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述第一基材的熱傳導率比所述第二基材的熱傳導率高。
8.根據權利要求1至7中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述第二基材比所述第一基材薄。
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述控制電路具有所述RF信號的開關電路。
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述第一基材具備由導體層和絕緣體層層疊而成的散熱器，所述散熱器配置在所述第二電路的附近。
11.根據權利要求1至10中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
構成所述電路間連接布線的導體層與構成所述第二電路的導體層由同一層構成。
12.根據權利要求1至11中的任一項所述的RF電路模塊，其中，
所述第一基材具有與所述模塊基板的所述電極連接的第一基材側導體突起部，
所述第二基材具有與所述模塊基板的所述電極連接的第二基材側導體突起部，
所述第一電路和所述第二電路與所述模塊基板的電極形成面對置。
13.根據權利要求12所述的RF電路模塊，其中，
所述第一基材側導體突起部與構成所述電路間連接布線的導體層直接接觸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所，未經株式會社村田制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110264331.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
