[發明專利]一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路

在審

• 申請號: 202110263102.2
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN112953412A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 許敏;杜琳;徐建輝
• 申請（專利權）人: 西安博瑞集信電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42;H03F3/189;H03F3/20
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 魏毅宏

本發明公開了一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路，包括偏置電路、放大電路、電感L1，所述偏置電路的第一端與所述放大電路的第一端連接，并通過電容C1與信號輸入端連接；所述偏置電路的第二端與所述放大電路的第二端連接，并通過電容C3與信號輸出端連接；所述偏置電路的第三端和所述放大電路的第三端分別接地，所述電感L1的第一端與所述偏置電路第二端、放大電路第二端、電容C3第一端連接，所述電感L1的第二端與電源連接。本發明可以解決超寬帶功率放大器的輸出功率低，線性度低的問題。

技術領域

本發明涉及射頻集成電路的技術領域，具體的說，涉及一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路。

背景技術

超寬帶功率放大器是射頻前端模組中非常重要的組成單元，主要功能就是放大信號并提供一定的功率增益。功率放大器按帶寬的不同來劃分可分為超寬帶功率放大器、寬帶功率放大器和窄帶功率放大器，由于超寬帶功率放大器輸入輸出阻抗一般會匹配到系統阻抗50歐姆，使其應用非常廣泛。

分布式結構可以實現極寬的帶寬，但其面積大，效率和增益較低，而共源共柵達林頓結構由于其自身優異的寬帶特性而成為超寬帶功率放大器設計中常用的結構，共源共柵達林頓結構可以實現極寬的帶寬，但傳統的共源共柵達林頓結構偏置電路為電阻分壓電路結構存在溫度系數差，線性度差的問題。

發明內容

本發明提供一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路，可以解決超寬帶功率放大器的輸出功率低，線性度低的問題。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是這樣實現的。

本發明實施例提供一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路，包括偏置電路、放大電路、電感L1，所述偏置電路的第一端與所述放大電路的第一端連接，并通過電容C1與信號輸入端連接；所述偏置電路的第二端與所述放大電路的第二端連接，并通過電容C3與信號輸出端連接；所述偏置電路的第三端和所述放大電路的第三端分別接地，所述電感L1的第一端與所述偏置電路第二端、放大電路第二端、電容C3第一端連接，所述電感L1的第二端與電源連接；所述有源偏置電路包括電阻R1、R2、R3、R4和R5，晶體管M4和M5；所述電阻R1的第一端與偏置電路的第二端連接，所述電阻R1的第二端與電阻R2的第一端、晶體管M5的第一端連接，所述電阻R2的第二端與晶體管M4的第一端、晶體管M5的第二端連接，所述晶體管M4的第二端與晶體管M5的第三端、電阻R4的第一端、電阻R5的第一端連接，所述晶體管M4的第三端與電阻R3的第一端連接，所述電阻R3的第二端與電阻R4的第二端相互連接并與偏置電路的第三端連接，所述電阻R5的第二端與所述有源偏置電路的第一端連接。

在本發明提供的實施例中，所述放大電路包括晶體管M1、M2和M3，電阻R6、R7、R8和R9，電容C2；所述晶體管M1的第二端與所述放大電路的第一端連接，所述晶體管M1的第三端分別與電阻R6的第一端、晶體管M2的第二端連接，所述晶體管M2的第三端與電阻R9的第一端連接，所述電阻R6的第二端和電阻R9的第二端相互連接并與所述放大電路的第三端連接，所述晶體管M1的第一端和晶體管M2的第一端相互連接并與所述晶體管M3的第三端連接；所述晶體管M3的第一端與電阻R7的第一端相互連接并與所述放大電路的第二端連接；晶體管M3的第二端與電阻R7的第二端、電阻R8的第一端、電容C2的第一端連接，所述電阻R8的第二端和電容C2第二端連接并接地。所述晶體管M1、M2、M3、M4和M5均為FET管。

與現有技術相比，本發明通過有源偏置電路代替電阻分壓偏置電路結構，從而在不同溫度下依然具有穩定的靜態工作點，增強了電路的穩定性，同時提高了線性度。可以通過共源共柵達林頓結構來提高工作電壓，從而可以提高輸出功率。

本發明的其它優點、目標和特征將部分通過下面的說明體現，部分還將通過對本發明的研究和實踐而為本領域的技術人員所理解。

附圖說明