[發明專利]一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路在審
| 申請號: | 202110263102.2 | 申請日: | 2021-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN112953412A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 許敏;杜琳;徐建輝 | 申請(專利權)人: | 西安博瑞集信電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/42 | 分類號: | H03F1/42;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有源 偏置 寬帶 功率放大器 電路 | ||
1.一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路,包括偏置電路、放大電路、電感L1,所述偏置電路的第一端與所述放大電路的第一端連接,并通過電容C1與信號輸入端連接;所述偏置電路的第二端與所述放大電路的第二端連接,并通過電容C3與信號輸出端連接;所述偏置電路的第三端和所述放大電路的第三端分別接地,所述電感L1的第一端與所述偏置電路第二端、放大電路第二端、電容C3第一端連接,所述電感L1的第二端與電源連接;其特征在于,所述有源偏置電路包括電阻R1、R2、R3、R4和R5,晶體管M4和M5;所述電阻R1的第一端與偏置電路的第二端連接,所述電阻R1的第二端與電阻R2的第一端、晶體管M5的第一端連接,所述電阻R2的第二端與晶體管M4的第一端、晶體管M5的第二端連接,所述晶體管M4的第二端與晶體管M5的第三端、電阻R4的第一端、電阻R5的第一端連接,所述晶體管M4的第三端與電阻R3的第一端連接,所述電阻R3的第二端與電阻R4的第二端相互連接并與偏置電路的第三端連接,所述電阻R5的第二端與所述有源偏置電路的第一端連接。
2.如權利要求1所述的一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路,其特征在于,所述放大電路包括晶體管M1、M2和M3,電阻R6、R7、R8和R9,電容C2;所述晶體管M1的第二端與所述放大電路的第一端連接,所述晶體管M1的第三端分別與電阻R6的第一端、晶體管M2的第二端連接,所述晶體管M2的第三端與電阻R9的第一端連接,所述電阻R6的第二端和電阻R9的第二端相互連接并與所述放大電路的第三端連接,所述晶體管M1的第一端和晶體管M2的第一端相互連接并與所述晶體管M3的第三端連接;所述晶體管M3的第一端與電阻R7的第一端相互連接并與所述放大電路的第二端連接;晶體管M3的第二端與電阻R7的第二端、電阻R8的第一端、電容C2的第一端連接,所述電阻R8的第二端和電容C2第二端連接并接地。
3.如權利要求1和2所述的一種帶有源偏置的超寬帶功率放大器電路,其特征在于,所述晶體管M1、M2、M3、M4和M5均為FET管。
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