[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 202110261692.5
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN112864099A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 張欽福;程恩萍;馮立偉
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭星

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有元胞區和周邊區；

隔離結構，至少設置在所述元胞區的襯底中，以在所述元胞區中隔離出有源區陣列和圍繞在所述有源區陣列外圍的邊緣圍設部，以及所述有源區陣列包括多個利用所述隔離結構相互分隔的有源區，所述有源區的襯底中包含預定離子，所述邊緣圍設部的襯底中未包含所述預定離子；以及，

多條位線，位于所述襯底上并沿著第一方向延伸，以和所述有源區陣列中相應的有源區相交，并從所述有源區陣列經由所述邊緣圍設部進一步延伸至所述周邊區中。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述隔離結構包括多個第一隔離部和多個第二隔離部，多個所述第一隔離部沿著第二方向延伸以界定出所述有源區的長邊界，所述第二隔離部形成在相鄰的第一隔離部之間并連接鄰近的第一隔離部以界定出所述有源區的短邊界。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述第一隔離部的端部延伸停止在所述邊緣圍設部中，以使所述邊緣圍設部靠近所述有源區陣列的內側形成有多個延伸出的條狀圖形，所述條狀圖形構成無效有源區，所述位線還與至少部分無效有源區相交。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述有源區陣列中位于離子有源區域內的有源區中摻雜有所述預定離子，所述離子有源區域的區域范圍位于所述有源區陣列的區域范圍之內，并使所述有源區陣列中位于邊緣位置的邊緣有源區至少端部位于所述離子有源區域之外而未包含有所述預定離子。

5.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述有源區陣列中至少部分邊緣有源區的整體均位于所述離子有源區域之外而未包含有所述預定離子。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述有源區中的預定離子包括源/漏摻雜離子以構成源/漏摻雜區，所述源/漏摻雜區延伸至襯底頂表面并和所述位線電性連接。

7.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述有源區的襯底包括基底區以及形成在基底區頂表面的所述源/漏摻雜區，所述邊緣圍設部的襯底僅包括基底區，所述基底區為第一摻雜類型，所述源/漏摻雜區為第二摻雜類型，并且所述基底區中第一摻雜類型離子的離子濃度低于所述源/漏摻雜區中的第二摻雜類型離子的離子濃度。

8.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述有源區的襯底包括由襯底頂表面至襯底內部依次排布的所述源/漏摻雜區、阱區和基底區；以及，在所述邊緣圍設部內僅包括基底區。

9.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

接觸插塞，設置在所述位線位于所述周邊區的端部上，以電性連接所述位線。

10.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有元胞區和周邊區；

形成隔離結構在襯底中，所述隔離結構在所述元胞區中隔離出有源區陣列和圍繞在所述有源區陣列外圍的邊緣圍設部，以及所述有源區陣列包括多個利用所述隔離結構相互分隔的有源區；

至少掩模遮蓋所述邊緣圍設部，并對所述有源區陣列執行離子注入工藝，以注入預定離子至所述有源區內；

形成多條位線在所述襯底上，所述位線沿著第一方向延伸以和所述有源區陣列中相應的有源區相交，并從所述有源區陣列經由所述邊緣圍設部進一步延伸至所述周邊區中。

11.如權利要求10所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述隔離結構的形成方法包括：

形成隔離溝槽在所述襯底中，所述隔離溝槽包括沿著第二方向延伸的多個第一溝槽和多個第二溝槽，所述第二溝槽形成在相鄰的第一溝槽之間并連通鄰近的第一溝槽；以及，

填充絕緣材料在所述隔離溝槽中，以形成對應于所述第一溝槽的第一隔離部和對應于第二溝槽的第二隔離部。