[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 202110261692.5
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN112864099A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 張欽福;程恩萍;馮立偉
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭星

本發明提供了一種存儲器及其形成方法。通過使有源區陣列中的有源區和位于有源區陣列外圍的邊緣圍設部具有不同的離子摻雜狀況，使得邊緣圍設部不具備與有源區相同的導電性能，從而可避免位線在跨越邊緣圍設部時與邊緣圍設部電性導通，有效改善了位線通過邊緣圍設部發生短路而使得電信號難以傳導至有源區陣列中的問題，保障了存儲器的正常運行。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法。

背景技術

存儲器(例如，動態隨機存儲器DRAM)通常包括用于存儲數據的存儲單元陣列，以及位于所述存儲單元陣列外圍的外圍電路。其中，所述存儲單元陣列由多個呈陣列排布的存儲單元構成，以及存儲單元通常是利用字線和位線連接至所述外圍電路中，以通過所述字線和所述位線控制對應的存儲單元運行。

具體而言，所述存儲單元一般包括有源區，并且所述有源區進一步電性連接至所述位線。在執行存取等操作時，通過對選定的位線施加電信號，并進一步利用位線傳導所述電性號至與其連接的有源區，從而控制對應的存儲單元運行。然而，目前的存儲器中，常常會出現部分存儲單元難以被選取而無法執行其相應操作的問題，進而影響存儲器的性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器，以解決現有的存儲器中存在部分存儲單元難以被選取而無法執行其相應操作的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種存儲器，包括：

襯底，所述襯底具有元胞區和周邊區；

隔離結構，至少設置在所述元胞區的襯底中，以在所述元胞區中隔離出有源區陣列和圍繞在所述有源區陣列外圍的邊緣圍設部，以及所述有源區陣列包括多個利用所述隔離結構相互分隔的有源區，所述有源區中包含預定離子，所述邊緣圍設部中未包含所述預定離子；以及，

多條位線，位于所述襯底上并沿著第一方向延伸，以和所述有源區陣列中相應的有源區相交，并從所述有源區陣列經由所述邊緣圍設部進一步延伸至所述周邊區中。

可選的，所述隔離結構包括多個第一隔離部和多個第二隔離部，多個所述第一隔離部沿著第二方向延伸以界定出所述有源區的長邊界，所述第二隔離部形成在相鄰的第一隔離部之間并連接鄰近的第一隔離部以界定出所述有源區的短邊界。

可選的，所述第一隔離部的端部延伸停止在所述邊緣圍設部中，以使所述邊緣圍設部靠近所述有源區陣列的內側形成有多個延伸出的條狀圖形，所述條狀圖形構成無效有源區，所述位線還與至少部分無效有源區相交。

可選的，所述有源區陣列中位于離子有源區域內的有源區中摻雜有所述預定離子，所述離子有源區域的區域范圍位于所述有源區陣列的區域范圍之內，并使所述有源區陣列中位于邊緣位置的邊緣有源區至少端部位于所述離子注入區域之外而未包含有所述預定離子。

可選的，所述有源區陣列中至少部分邊緣有源區的整體均位于所述離子有源區域之外而未包含有所述預定離子。

可選的，所述有源區中的預定離子包括源/漏摻雜離子以構成源/漏摻雜區，所述源/漏摻雜區延伸至襯底頂表面并和所述位線電性連接。

可選的，所述有源區的襯底包括基底區以及形成在基底區頂表面的所述源/漏摻雜區，所述邊緣圍設部的襯底僅包括基底區，所述基底區為第一摻雜類型，所述源/漏摻雜區為第二摻雜類型，并且所述基底區中第一摻雜類型離子的離子濃度低于所述源/漏摻雜區中的第二摻雜類型離子的離子濃度。

可選的，所述有源區的襯底包括由襯底頂表面至襯底內部依次排布的所述源/漏摻雜區、阱區和基底區；以及，在所述邊緣圍設部內僅包括基底區。

可選的，所述存儲器還包括：接觸插塞，設置在所述位線位于所述周邊區的端部上，以電性連接所述位線。

本發明的又一目的在于提供一種存儲器的形成方法，包括：