[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202110261218.2
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113053916B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 呂文強;王鳳國;馮宇;劉彬;郭春升;儲宏旭
• 申請（專利權）人: 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/28;G02F1/1333;G02F1/1368
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。所述顯示基板包括：基底和設置在基底上的源漏電極層，以及，設置在所述源漏電極層遠離所述基底一側的平坦層，所述平坦層設置有暴露所述源漏電極層的第一過孔，所述源漏電極層遠離所述基底一側的表面至少部分為粗糙面，所述粗糙面設置為將從遠離所述基底一側入射的光線以散射光的形式出射，在平行于所述基底的平面上，所述第一過孔靠近所述基底一側的開口的正投影位于所述粗糙面的正投影內。本實施例提供的方案，通過設置粗糙面，減少反射光，改善了斑塊現象，提高顯示質量。

技術領域

本申請實施例涉及但不限于顯示技術，尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

眾所周知，低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Silicon-Thin FilmTransistor，LTPS-TFT)液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優點。隨著電子設備和顯示知識的普及，客戶對顯示質量、產品品質的要求越來越嚴苛。

發明內容

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本申請實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置，改善屏幕色均衡度。

本申請實施例提供了一種顯示基板，包括：基底和設置在基底上的源漏電極層，以及，設置在所述源漏電極層遠離所述基底一側的平坦層，所述平坦層設置有暴露所述源漏電極層的第一過孔，所述源漏電極層遠離所述基底一側的表面至少部分為粗糙面，所述粗糙面設置為將從遠離所述基底一側入射的光線以散射光的形式出射，在平行于所述基底的平面上，所述第一過孔靠近所述基底一側的開口的正投影位于所述粗糙面的正投影內。

在一示例性實施例中，所述源漏電極層遠離所述基底一側的表面均為粗糙面。

在一示例性實施例中，所述顯示基板還包括設置在所述平坦層遠離所述基底一側的鈍化層，所述鈍化層設置有暴露所述源漏電極層的第二過孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一過孔的正投影和所述第二過孔的正投影存在交疊。

在一示例性實施例中，所述源漏電極層包括鈦鋁鈦多層結構。

本公開實施例提供一種顯示裝置，包括上述顯示基板。

本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法，包括：

在基底上形成源漏電極層；所述源漏電極層遠離所述基底一側的表面至少部分為粗糙面，所述粗糙面設置為將從遠離所述基底一側入射的光線以散射光的形式出射；

在所述源漏電極層遠離所述基底一側形成平坦層，所述平坦層設置有暴露所述源漏電極層的第一過孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一過孔靠近所述基底一側的開口的正投影位于所述粗糙面的正投影內。

在一示例性實施例中，在基底上形成源漏電極層包括：

在基底上沉積源漏金屬層薄膜；

對所述源漏金屬層薄膜進行粗糙化處理，形成粗糙面，對所述源漏金屬層薄膜構圖形成源漏金屬層圖案。

在一示例性實施例中，在基底上形成源漏電極層包括：

在基底上沉積源漏金屬層薄膜；

對所述源漏金屬層薄膜進行構圖，形成源漏金屬層圖案；

對所述源漏金屬層圖案進行粗糙化處理，形成粗糙面。

在一示例性實施例中，所述對所述源漏金屬層薄膜或源漏金屬層圖案進行粗糙化處理包括：使用氯氣、三氯化硼至少之一對所述源漏金屬層薄膜或源漏金屬層圖案進行刻蝕。