[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110261218.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113053916B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文強(qiáng);王鳳國(guó);馮宇;劉彬;郭春升;儲(chǔ)宏旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/28;G02F1/1333;G02F1/1368
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種顯示基板，其特征在于，應(yīng)用于曝光機(jī)鏡頭的拼接處；所述顯示基板包括：基底和設(shè)置在基底上的源漏電極層，以及，設(shè)置在所述源漏電極層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的平坦層，所述平坦層設(shè)置有暴露所述源漏電極層的第一過(guò)孔；所述顯示基板還包括設(shè)置在所述平坦層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的鈍化層，所述鈍化層設(shè)置有暴露所述源漏電極層的第二過(guò)孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一過(guò)孔的正投影和所述第二過(guò)孔的正投影存在交疊，且不同心；

所述源漏電極層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面至少部分為粗糙面，所述粗糙面設(shè)置為將從遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)入射的光線以散射光的形式出射，在平行于所述基底的平面上，所述第一過(guò)孔靠近所述基底一側(cè)的開(kāi)口的正投影位于所述粗糙面的正投影內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述源漏電極層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面均為粗糙面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一所述的顯示基板，其特征在于，所述源漏電極層包括鈦鋁鈦多層結(jié)構(gòu)。

4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至2任一所述的顯示基板。

5.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，應(yīng)用于曝光機(jī)鏡頭的拼接處；所述顯示基板的制備方法包括：

在基底上形成源漏電極層；所述源漏電極層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面至少部分為粗糙面，所述粗糙面設(shè)置為將從遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)入射的光線以散射光的形式出射；

在所述源漏電極層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)形成平坦層，所述平坦層設(shè)置有暴露所述源漏電極層的第一過(guò)孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一過(guò)孔靠近所述基底一側(cè)的開(kāi)口的正投影位于所述粗糙面的正投影內(nèi)；

所述顯示基板還包括設(shè)置在所述平坦層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的鈍化層，所述鈍化層設(shè)置有暴露所述源漏電極層的第二過(guò)孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一過(guò)孔的正投影和所述第二過(guò)孔的正投影存在交疊，且不同心。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，在基底上形成源漏電極層包括：

在基底上沉積源漏金屬層薄膜；

對(duì)所述源漏金屬層薄膜進(jìn)行粗糙化處理，形成粗糙面，對(duì)所述源漏金屬層薄膜構(gòu)圖形成源漏金屬層圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，在基底上形成源漏電極層包括：

在基底上沉積源漏金屬層薄膜；

對(duì)所述源漏金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成源漏金屬層圖案；

對(duì)所述源漏金屬層圖案進(jìn)行粗糙化處理，形成粗糙面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述對(duì)所述源漏金屬層薄膜或源漏金屬層圖案進(jìn)行粗糙化處理包括：使用氯氣、三氯化硼至少之一對(duì)所述源漏金屬層薄膜或源漏金屬層圖案進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述使用氯氣、三氯化硼至少之一對(duì)所述源漏金屬層薄膜或源漏金屬層圖案進(jìn)行刻蝕的時(shí)間為8至10秒，速率為3500±10％埃米/分鐘。