[發(fā)明專利]電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110259981.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113035889B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王睦凱;黃國(guó)有;徐雅玲;王洸富 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黃艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
一種電子裝置,包括基板、多條柵極線、數(shù)據(jù)線、轉(zhuǎn)接線以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。多條柵極線、數(shù)據(jù)線、轉(zhuǎn)接線以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)都配置于基板上。柵極線沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸,其中第一方向與第二方向相交。轉(zhuǎn)接線平行于數(shù)據(jù)線并彼此相鄰,轉(zhuǎn)接線連接多條柵極線的其中一條,轉(zhuǎn)接線的材質(zhì)包括數(shù)據(jù)線的材質(zhì)。轉(zhuǎn)接線在基板上的高度小于數(shù)據(jù)線在基板上的高度。據(jù)此,可有助于降低線路之間的耦合而提供電子裝置改進(jìn)的品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子裝置。
背景技術(shù)
隨著電子產(chǎn)品的普及化,各種電子裝置中的線路布局月亦復(fù)雜。因此,許多相鄰的線路可能用于傳遞不同類型的信號(hào)。然而,相鄰線路之間的耦合作用往往影響信號(hào)傳遞的品質(zhì),而導(dǎo)致最終呈現(xiàn)的功能不符預(yù)期。因此,線路布局的規(guī)劃,往往是電子產(chǎn)品中的設(shè)計(jì)重點(diǎn)之一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子裝置,其設(shè)計(jì)可有助于降低線路之間的耦合(coupling)而提供改進(jìn)的品質(zhì)。
本發(fā)明的電子裝置包括基板、多條柵極線、數(shù)據(jù)線、轉(zhuǎn)接線以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。多條柵極線、數(shù)據(jù)線、轉(zhuǎn)接線以及多個(gè)像素結(jié)構(gòu)都配置于基板上。多條柵極線沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸,其中第一方向與所述第二方向相交。轉(zhuǎn)接線平行于數(shù)據(jù)線并彼此相鄰,轉(zhuǎn)接線連接多條柵極線的其中一條,轉(zhuǎn)接線的材質(zhì)包括數(shù)據(jù)線的材質(zhì)。多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的其中一者被多條柵極線的相鄰兩條以及轉(zhuǎn)接線圍繞且包括像素電極及主動(dòng)元件。轉(zhuǎn)接線在基板上的高度小于數(shù)據(jù)線在基板上的高度。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電子裝置還包括至少一絕緣層,其中至少一絕緣層包括第一開(kāi)口。第一開(kāi)口在基板的垂直投影范圍涵蓋像素電極在基板的垂直投影范圍,轉(zhuǎn)接線配置于第一開(kāi)口內(nèi),數(shù)據(jù)線配置于至少一絕緣層上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的絕緣層由不同材質(zhì)的絕緣材料彼此堆疊而成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,轉(zhuǎn)接線的材質(zhì)與數(shù)據(jù)線的材質(zhì)相同。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在像素結(jié)構(gòu)中,轉(zhuǎn)接線與基板接觸,轉(zhuǎn)接線與數(shù)據(jù)線在基板上的高度差為至少一絕緣層的膜厚。在部分實(shí)施例中,至少一絕緣層包括緩沖層、柵極絕緣層以及層間絕緣層,其中緩沖層與基板接觸,柵極絕緣層的所在膜層位于主動(dòng)元件的主動(dòng)層的膜層與柵極的膜層之間,層間絕緣層的所在膜層位于柵極線的膜層與數(shù)據(jù)線的膜層之間,轉(zhuǎn)接線與數(shù)據(jù)線的高度差為緩沖層、柵極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在像素結(jié)構(gòu)中,轉(zhuǎn)接線與基板之間包括緩沖層,數(shù)據(jù)線與基板之間包括緩沖層以及至少一絕緣層。在部分實(shí)施例中,至少一絕緣層包括柵極絕緣層以及層間絕緣層,柵極絕緣層的所在膜層位于主動(dòng)元件的主動(dòng)層的膜層與柵極的膜層之間,層間絕緣層的所在膜層位于柵極線的膜層與數(shù)據(jù)線的膜層之間,轉(zhuǎn)接線與數(shù)據(jù)線的高度差為柵極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,主動(dòng)元件與基板之間還包括遮光導(dǎo)體層,數(shù)據(jù)線由第二導(dǎo)電層所構(gòu)成,轉(zhuǎn)接線由遮光導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電層直接堆疊而成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的至少一絕緣層包括位于柵極線與數(shù)據(jù)線之間的層間絕緣層,層間絕緣層還包括第一貫孔以及貫穿第一貫孔的第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)接線經(jīng)由第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接多條柵極線的其中一條。在部分實(shí)施例中,上述的層間絕緣層還可包括第二貫孔以及貫穿第二貫孔的第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu),主動(dòng)元件的源極經(jīng)由第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接數(shù)據(jù)線。在部分實(shí)施例中,上述的層間絕緣層還可還包括第三貫孔以及貫穿第三貫孔的第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu),主動(dòng)元件的漏極經(jīng)由第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接像素電極。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,轉(zhuǎn)接線與數(shù)據(jù)線具有相互平行的曲折圖案。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,像素電極于垂直基板方向上重疊轉(zhuǎn)接線。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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