[發(fā)明專(zhuān)利]電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110259981.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113035889B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王睦凱;黃國(guó)有;徐雅玲;王洸富
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 傅磊;黃艷

1.一種電子裝置，包括：

基板；

多條柵極線，配置于所述基板上，并沿第一方向延伸；

數(shù)據(jù)線，配置于所述基板上，并沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；

轉(zhuǎn)接線，配置于所述基板上，所述轉(zhuǎn)接線平行于所述數(shù)據(jù)線并彼此相鄰，所述轉(zhuǎn)接線連接所述多條柵極線的其中一條，所述轉(zhuǎn)接線的至少一部分與所述數(shù)據(jù)線形成于同一第二導(dǎo)電層，且在電子裝置的俯視圖中，所述數(shù)據(jù)線與所述轉(zhuǎn)接線錯(cuò)開(kāi)；

多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，配置于所述基板上，所述多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的其中一者被所述多條柵極線的相鄰兩條以及所述轉(zhuǎn)接線圍繞且包括像素電極及主動(dòng)元件，

其中所述轉(zhuǎn)接線在所述基板上的高度小于所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的高度；以及

至少一絕緣層，其中所述至少一絕緣層包括第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口在所述基板的垂直投影范圍涵蓋所述像素電極在所述基板的垂直投影范圍，所述轉(zhuǎn)接線配置于所述第一開(kāi)口內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線配置于所述至少一絕緣層上。

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層由不同材質(zhì)的絕緣材料彼此堆疊而成。

3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述轉(zhuǎn)接線的材質(zhì)與所述數(shù)據(jù)線的材質(zhì)相同。

4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中在所述像素結(jié)構(gòu)中，所述轉(zhuǎn)接線與所述基板接觸，所述轉(zhuǎn)接線與所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的高度差為所述至少一絕緣層的膜厚。

5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括緩沖層、柵極絕緣層以及層間絕緣層，所述緩沖層與所述基板接觸，所述柵極絕緣層的所在膜層位于所述主動(dòng)元件的主動(dòng)層的膜層與柵極的膜層之間，所述層間絕緣層的所在膜層位于所述柵極線的膜層與所述數(shù)據(jù)線的膜層之間，所述轉(zhuǎn)接線與所述數(shù)據(jù)線的高度差為所述緩沖層、所述柵極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。

6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中在所述像素結(jié)構(gòu)中，所述轉(zhuǎn)接線與所述基板之間包括緩沖層，所述數(shù)據(jù)線與所述基板之間包括所述緩沖層以及所述至少一絕緣層。

7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括柵極絕緣層以及層間絕緣層，所述柵極絕緣層的所在膜層位于所述主動(dòng)元件的主動(dòng)層的膜層與柵極的膜層之間，所述層間絕緣層的所在膜層位于所述柵極線的膜層與所述數(shù)據(jù)線的膜層之間，所述轉(zhuǎn)接線與所述數(shù)據(jù)線的高度差為所述柵極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。

8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述主動(dòng)元件與所述基板之間還包括遮光導(dǎo)體層，所述數(shù)據(jù)線由第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，所述轉(zhuǎn)接線由所述遮光導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電層直接堆疊而成。

9.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括位于所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線之間的層間絕緣層，所述層間絕緣層還包括第一貫孔以及貫穿所述第一貫孔的第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述轉(zhuǎn)接線經(jīng)由所述第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接所述多條柵極線的其中一條。

10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中所述層間絕緣層還包括第二貫孔以及貫穿所述第二貫孔的第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述主動(dòng)元件的源極經(jīng)由所述第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接所述數(shù)據(jù)線。

11.如權(quán)利要求10所述的電子裝置，其中所述層間絕緣層還包括第三貫孔以及貫穿所述第三貫孔的第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述主動(dòng)元件的漏極經(jīng)由所述第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連接所述像素電極。

12.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述轉(zhuǎn)接線與所述數(shù)據(jù)線具有相互平行的曲折圖案。

13.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述像素電極于垂直所述基板方向上重疊所述轉(zhuǎn)接線。

14.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中在電子裝置的俯視圖中，所述像素電極的邊緣位于所述轉(zhuǎn)接線與所述數(shù)據(jù)線之間，所述像素電極的所述邊緣與所述轉(zhuǎn)接線在基板投影上相距第一距離，所述像素電極的邊緣與所述數(shù)據(jù)線在基板投影上相距第二距離，所述第一距離為至少2微米，所述第二距離為至少3微米。